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龍圖騰網獲悉蘇州納維科技有限公司申請的專利氫化物氣相外延法生長III-V族化合物單晶的方法及設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115679441B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110862495.9，技術領域涉及：C30B25/02；該發明授權氫化物氣相外延法生長III-V族化合物單晶的方法及設備是由蔡德敏;徐琳;張波;沈振華設計研發完成，并于2021-07-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本氫化物氣相外延法生長III-V族化合物單晶的方法及設備在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氫化物氣相外延法生長III?V族化合物單晶的方法及設備。所述方法包括：將III元素源、氮源與載氣輸入HVPE反應腔室內，并依次經過所述反應腔室內的第一區域、第二區域、第三區域，分別將所述反應腔室第一區域、第二區域和第三區域的調節至第一溫度、第二溫度和第三溫度，使所述III元素源與氮源于所述第一區域發生反應而形成III氮化物單晶，使III元素源與氫氣于第二區域發生反應而形成III元素單質，使氮源與鹵素氫化物于第三區域發生反應而形成銨鹽。本發明實施例提供的一種氫化物氣相外延法生長III族氮化物單晶的方法，提高了III族氮化物單晶的產量和純度，并能回收III族元素單質，降低了III族氮化物單晶的制備成本。

本發明授權氫化物氣相外延法生長III-V族化合物單晶的方法及設備在權利要求書中公布了：1.一種氫化物氣相外延法生長III-V族化合物單晶的方法，其特征在于包括：將第一源物質和第二源物質輸入反應腔室，所述第一源物質包含III族元素，所述第二源物質包含V族元素，通過將反應腔室內第一區域、第二區域、第三區域分別設置為不同溫度，使第一源物質與第二源物質在反應腔室的第一區域進行反應生成III-V族化合物單晶及第一副產物，并使至少部分的第一副產物與未反應的第一源物質在第二區域進行反應生成可回收的III族元素單質和第二副產物，以及使至少部分的第一副產物和或至少部分的第二副產物與未反應的第二源物質在第三區域進行反應生成可回收產物，其中，所述第一區域包括III-V族化合物單晶生長區和沿徑向包圍III-V族化合物單晶生長區的周邊區，所述III-V族化合物單晶生長區被設置為適合生成III-V族化合物單晶的溫度，所述周邊區的溫度高于III-V族化合物單晶生長區的溫度，所述第二區域的溫度被設置為高于所述可回收產物的形成溫度且低于第一源物質的分解溫度，所述第三區域的溫度被設置為不高于所述可回收產物的分解溫度。

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