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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113594045B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110259187.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/48；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由葉書伸;楊哲嘉;許佳桂;林柏堯;鄭心圃;林嘉祥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說(shuō)明書摘要公布了：方法包括形成第一介電層，形成第一再分布線，第一再分布線包括延伸至第一介電層中的第一通孔和位于第一介電層上方的第一跡線，形成覆蓋第一再分布線的第二介電層，以及圖案化第二介電層以形成通孔開(kāi)口。第一再分布線通過(guò)通孔開(kāi)口露出。方法還包括將導(dǎo)電材料沉積至通孔開(kāi)口中以在第二介電層中形成第二通孔，以及在第二通孔上方并接觸第二通孔的導(dǎo)電焊盤，以及在導(dǎo)電焊盤上方形成導(dǎo)電凸塊。導(dǎo)電焊盤大于導(dǎo)電凸塊，并且第二通孔從導(dǎo)電凸塊的中心線偏離。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括： 形成第一介電層； 形成第一再分布線，所述第一再分布線包括延伸至所述第一介電層中的第一通孔和位于所述第一介電層上方的第一跡線； 形成覆蓋所述第一再分布線的第二介電層； 圖案化所述第二介電層以形成通孔開(kāi)口，其中，所述第一再分布線通過(guò)所述通孔開(kāi)口露出； 將導(dǎo)電材料沉積至所述通孔開(kāi)口中，以在所述第二介電層中形成第二通孔以及位于所述第二通孔上方并接觸所述第二通孔的導(dǎo)電焊盤；以及 在所述導(dǎo)電焊盤上方形成導(dǎo)電凸塊，其中，所述導(dǎo)電焊盤大于所述導(dǎo)電凸塊，并且所述第二通孔從所述導(dǎo)電凸塊的中心線偏離， 其中，所述第一通孔從所述導(dǎo)電凸塊的中心線偏離，并且所述第一通孔和所述第二通孔在所述導(dǎo)電凸塊的中心線的相對(duì)側(cè)，并且所述第一通孔和所述第二通孔均部分地設(shè)置在所述導(dǎo)電凸塊的橫向范圍內(nèi)并且完全地設(shè)置在所述導(dǎo)電焊盤的橫向范圍內(nèi)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。