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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利一種MTJ結構中固定層的優化方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114665007B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011535003.7，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權一種MTJ結構中固定層的優化方法是由韓谷昌;王明;楊曉蕾;哀立波;張愷燁;劉波設計研發完成，并于2020-12-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MTJ結構中固定層的優化方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種MTJ結構中固定層的優化方法，包括以下步驟：減小固定層磁性層的厚度；調節各磁性層的磁矩，使得固定層在自由層處的偏置場符合設定值。與現有技術相比，本發明提供的MTJ結構中固定層的優化方法能夠在不影響MTJ結構整體穩定性的基礎上，減小固定層厚度，從而減輕MTJ刻蝕損傷。實驗結果表明，本發明提供的MTJ結構中固定層的優化方法一方面，降低MTJ刻蝕損傷，同時不影響參考層穩定性；另一方面，降低整體存儲單元的厚度，有利于減少刻蝕時間，也為擴展到小尺寸提供光刻Litho及硬掩模HM更多選擇。

本發明授權一種MTJ結構中固定層的優化方法在權利要求書中公布了：1.一種MTJ結構中固定層的優化方法，包括以下步驟： 減小固定層磁性層的厚度；調節各磁性層的磁矩，使得固定層在自由層處的偏置場符合設定值； 所述MTJ結構包括第一釘扎層、第二釘扎層、位于第一釘扎層和第二釘扎層之間的反鐵磁耦合層、過渡層、參考層、勢壘層和自由層； 所述固定層包括第一釘扎層、第二釘扎層、位于第一釘扎層和第二釘扎層之間的反鐵磁耦合層、過渡層和參考層； 所述減小固定層磁性層的厚度和調節各磁性層的磁矩包括： a）減小第一釘扎層PL1的厚度，并提高第一釘扎層PL1的磁矩； 步驟a）中所述減小第一釘扎層PL1的厚度的過程具體為：降低CoPtn多層中Co和Pt的厚度到每個分子層； 步驟a）中所述提高第一釘扎層PL1的磁矩的方式為采用高磁飽和磁化Ms的Co合金；所述高磁飽和磁化Ms的Co合金選自CoxFe1-x或CoFeNi，其中，x為0.1~0.4； b）減小第二釘扎層PL2的磁矩，并降低第二釘扎層PL2的厚度； 步驟b）中所述減小第二釘扎層PL2的磁矩的方式為采用低磁飽和磁化Ms的磁性層； 步驟b）中所述降低第二釘扎層PL2的厚度的過程具體為：降低CoPtn多層中Co和Pt的厚度到每個分子層； c）減小參考層RL的厚度，并降低參考層RL的磁矩； 步驟c）中所述減小參考層RL的厚度至≤1nm； 步驟c）中所述降低參考層RL的磁矩的方式為采用低磁飽和磁化Ms同時阻尼因子高的鐵磁材料。

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