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龍圖騰網獲悉南通尚陽通集成電路有限公司申請的專利平面功率半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649397B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011518527.5，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權平面功率半導體器件是由周翔;鄭輝設計研發完成，并于2020-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本平面功率半導體器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種平面功率半導體器件，器件單元包括：形成于襯底上的第一外延層；柵極結構形成于第一外延層表面；源區和柵極結構的第一側面自對準；漏區和柵極結構的第二側面具有間隔；漂移區位于柵極結構的第二側面和漏區之間；導電溝道由被柵極結構所覆蓋的第一外延層表面反型時形成反型層組成；漂移區的摻雜濃度分布形成電荷平衡結構，在反偏時，電荷平衡結構使得漂移區被全部耗盡且表面電場分布均勻。本發明能實現漂移區的電荷平衡結構，從而能減小比導通電阻并大幅度減小器件在開通時的能量損耗，特別適用于氮化鎵功率器件，能充分發揮氮化鎵材料的優勢，減小氮化鎵器件制造的成本并且簡化工藝流程。

本發明授權平面功率半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種平面功率半導體器件，其特征在于，器件單元包括： 形成于襯底上的第一外延層； 柵極結構形成于所述第一外延層表面；所述柵極結構包括形成于所述第一外延層表面的柵介質層和形成于所述柵介質層表面的柵極導電材料層； 第一導電類型重摻雜的源區和所述柵極結構的第一側面自對準； 第一導電類型重摻雜的漏區和所述柵極結構的第二側面具有間隔； 第一導電類型摻雜的漂移區位于所述柵極結構的第二側面和所述漏區之間； 導電溝道由被所述柵極結構所覆蓋的所述第一外延層表面反型時形成反型層組成； 所述漂移區的摻雜濃度分布形成電荷平衡結構，在反偏時，所述電荷平衡結構使得所述漂移區被全部耗盡且表面電場分布均勻； 平面功率半導體器件為氮化鎵平面場效應晶體管； 所述襯底為絕緣襯底； 所述第一外延層為氮化鎵外延層； 所述第一外延層為第二導電類型摻雜或者為非摻雜； 控制所述漂移區的總摻雜劑量使所述漂移區形成電荷平衡結構； 所述漂移區由形成于所述第一外延層表面上的經過局部刻蝕后的第二外延層組成；在縱向上，所述漏區從所述第二外延層的頂部表面延伸到所述第一外延層中；所述漂移區的所述第二外延層在縱向上分成多個第二外延子層；各所述第二外延子層的第二側面平齊且都和所述漏區的第一側面對準；在從底部往頂部的縱向上，各所述第二外延子層的第一側面和所述柵極結構的第一側面的距離增加； 各所述第二外延子層的摻雜濃度不相等； 在從底部往頂部的縱向上，各所述第二外延子層的摻雜濃度依次增加或者依次降低或者先依次增加并在增加到最大值后再依次降低或者先依次降低并在降低到最小值后再依次增加。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南通尚陽通集成電路有限公司，其通訊地址為：226000 江蘇省南通市崇川區崇川路79號國際青創園1號樓18層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。