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龍圖騰網獲悉索泰克公司申請的專利形成針對RF應用的復合結構的處理襯底的方法及處理襯底獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114586172B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080072350.2，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權形成針對RF應用的復合結構的處理襯底的方法及處理襯底是由金勇必;D·德爾普拉;L·卡佩羅;I·伯特蘭;F·阿利伯特設計研發完成，并于2020-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本形成針對RF應用的復合結構的處理襯底的方法及處理襯底在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于復合結構的處理襯底100，所述處理襯底100包括：基礎襯底12，所述基礎襯底12由通過Czochralski拉制獲得的單晶硅晶片1上的硅外延層2構成，所述單晶硅晶片1具有10到500ohm.cm之間的電阻率，所述硅外延層2具有高于2000ohm.cm的電阻率以及2到100微米之間的厚度；鈍化層3，所述鈍化層3在所述硅外延層2上并且與所述硅外延層2接觸，所述鈍化層3是非晶的或多晶的；?電荷俘獲層4，所述電荷俘獲層4在所述鈍化層3上并且與所述鈍化層3接觸。本發明還涉及一種形成這種襯底的方法。

本發明授權形成針對RF應用的復合結構的處理襯底的方法及處理襯底在權利要求書中公布了：1.一種用于復合結構的處理襯底100，所述處理襯底100包括： -基礎襯底12，所述基礎襯底12由通過Czochralski拉制獲得的單晶硅晶片1上的硅外延層2形成，所述單晶硅晶片1具有10到500ohm.cm之間的電阻率，所述硅外延層2表現出大于2000ohm.cm的電阻率以及從2到100微米范圍內的厚度， -鈍化層3，所述鈍化層3在所述硅外延層2上并且與所述硅外延層2接觸，所述鈍化層3是非晶的或多晶的， -電荷俘獲層4，所述電荷俘獲層4在所述鈍化層3上并且與所述鈍化層3接觸， 所述處理襯底100的特征在于： -所述鈍化層3是通過所述硅外延層2的表面的碳化而形成的碳化硅層，所述碳化通過將所述硅外延層2的自由表面在低于大氣壓的壓力下暴露于單一碳前體氣體來執行，或者 -所述鈍化層3是通過所述硅外延層2的表面的氮化而形成的氮化硅層，所述氮化通過將所述硅外延層2的自由表面在0.1托至760托之間的壓力下暴露于氮前體氣體來執行。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索泰克公司，其通訊地址為：法國伯爾寧；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。