意法半導(dǎo)體(圖爾)公司O·奧里獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體(圖爾)公司申請(qǐng)的專利保護(hù)裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112349776B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010794409.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D10/60；該發(fā)明授權(quán)保護(hù)裝置是由O·奧里設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-10向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本保護(hù)裝置在說明書摘要公布了：本公開的實(shí)施例提供了一種保護(hù)裝置。本公開提供了一種包括襯底的電子裝置。襯底包括阱和橫向地圍繞該阱的外圍絕緣壁。在阱中形成至少一個(gè)橫向雙極型晶體管，并且至少一個(gè)晶體管具有在平行的集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域下延伸的基極區(qū)域。外圍絕緣壁在平行于集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域的第一方向上被加寬，使得基極區(qū)域穿透到外圍絕緣壁中。
本發(fā)明授權(quán)保護(hù)裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電子裝置，包括襯底，所述襯底包括： 阱； 外圍絕緣壁，橫向地圍繞所述阱；以及 至少一個(gè)橫向雙極型晶體管，形成在所述阱中，并且所述至少一個(gè)橫向雙極型晶體管具有在平行的集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域下延伸的基極區(qū)域； 所述外圍絕緣壁在平行于所述集電極區(qū)域和所述發(fā)射極區(qū)域的第一方向上被加寬，使得所述基極區(qū)域穿透到所述外圍絕緣壁中，其中： 所述襯底具有第一導(dǎo)電類型； 所述外圍絕緣壁具有所述第一導(dǎo)電類型； 所述基極區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電類型； 所述阱具有不同于所述第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型；并且 所述集電極區(qū)域和所述發(fā)射極區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電類型。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人意法半導(dǎo)體(圖爾)公司，其通訊地址為：法國圖爾；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報(bào)告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
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