三星電子株式會社任京彬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利晶圓到晶圓接合方法及晶圓到晶圓接合設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112185850B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010630336.1,技術領域涉及:H01L21/67;該發明授權晶圓到晶圓接合方法及晶圓到晶圓接合設備是由任京彬;尹賢埈;趙光熙;李濟元;韓珉洙;金俊亨;石承大設計研發完成,并于2020-07-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶圓到晶圓接合方法及晶圓到晶圓接合設備在說明書摘要公布了:在晶圓到晶圓接合方法中,第一晶圓被真空吸附在下平臺的第一表面上,并且第二晶圓被真空吸附在上平臺的第二表面上。通過下推動桿將壓力施加到第一晶圓的中間部分,并且通過上推動桿將壓力施加到第二晶圓的中間部分。第一晶圓和第二晶圓的接合徑向向外傳播。檢測第一晶圓和第二晶圓的接合傳播位置。下推動桿的突出長度和上推動桿的突出長度的比率根據接合傳播位置而改變。
本發明授權晶圓到晶圓接合方法及晶圓到晶圓接合設備在權利要求書中公布了:1.一種晶圓接合設備,包括: 真空泵; 下平臺,其具有第一表面并且包括所述第一表面中的多個第一吸附孔,其中,所述下平臺被配置為基于真空壓力從所述真空泵被供應到所述多個第一吸附孔來將第一晶圓真空吸附在所述第一表面上; 上平臺,其具有第二表面并且包括所述第二表面中的多個第二吸附孔,其中,所述上平臺被配置為基于真空壓力從所述真空泵被供應到所述多個第二吸附孔來將第二晶圓真空吸附在所述第二表面上; 下推動桿,其能夠移動穿過所述下平臺的中間部分中的第一中心孔,以接觸所述第一晶圓的與所述第一中心孔重疊的中間區域并向所述第一晶圓的所述中間區域施加壓力; 上推動桿,其能夠移動穿過所述上平臺的中間部分中的第二中心孔,以接觸所述第二晶圓的與所述第二中心孔重疊的中間區域并向所述第二晶圓的所述中間區域施加壓力; 位置檢測傳感器,其被配置為基于通過所述下平臺和所述上平臺中的至少一個平臺中的檢測孔檢測所述第一晶圓和所述第二晶圓中的至少一個,來生成指示所述第一晶圓和所述第二晶圓的接合傳播位置的晶圓位置信息; 平臺驅動器,其被配置為使所述下平臺和所述上平臺相對于彼此移動; 推動桿驅動器,其被配置為在豎直方向上移動所述下推動桿和所述上推動桿; 其中,所述真空泵被配置為將真空壓力選擇性地供應至所述多個第一吸附孔和所述多個第二吸附孔兩者;以及 處理電路,其被配置為對所述平臺驅動器、所述推動桿驅動器和所述真空泵的操作進行控制,所述處理電路還被配置為對所述晶圓位置信息進行處理以檢測所述接合傳播位置,所述處理電路還被配置為執行以下項中的至少一項: 根據所述接合傳播位置使所述下推動桿的突出長度與所述上推動桿的突出長度的比率隨時間而增加,以使得在接合初始時間處,所述下推動桿的突出長度小于所述上推動桿的突出長度,并且在所述接合初始時間之后的接合傳播時間處,所述下推動桿的突出長度等于或大于所述上推動桿的突出長度,和 根據所述接合傳播位置使所述上平臺的吸附面積與所述下平臺的吸附面積的比率,隨時間減小,以使得在接合初始時間處,在所述上平臺的外圍區域中形成第一吸附區并且在所述下平臺的外圍區域中形成具有小于所述第一吸附區的面積的第二吸附區,并且在所述接合初始時間之后的接合傳播時間處,在所述上平臺的外圍區域中形成具有等于或小于所述第二吸附區的面積的第三吸附區,并且在所述下平臺的外圍區域中形成具有等于所述第二吸附區的面積的第四吸附區。
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