HOYA株式會社福井亨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉HOYA株式會社申請的專利掩膜基板、轉印用掩膜及其制造方法、半導體設備的制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112147840B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010564772.3,技術領域涉及:G03F1/32;該發明授權掩膜基板、轉印用掩膜及其制造方法、半導體設備的制造方法是由福井亨;橋本雅廣;打田崇設計研發完成,并于2020-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本掩膜基板、轉印用掩膜及其制造方法、半導體設備的制造方法在說明書摘要公布了:提供一種掩膜基板,能夠在光刻膠膜上形成線寬度比激光描繪裝置的激光的波長小的圖案。掩膜基板在基板上具備遮光膜。遮光膜由含有金屬元素的材料構成。遮光膜是所述金屬元素的含量在厚度方向上變化的組分傾斜膜。在遮光膜從接近基板的一方依次被分割為遮光部和防反射部時,防反射部相對于350nm以上且520nm以下的波長區域的光的折射率nA為2.1以下。在波長區域的光透過所述防反射部時波長區域的光所產生的相位差為28度以上。
本發明授權掩膜基板、轉印用掩膜及其制造方法、半導體設備的制造方法在權利要求書中公布了:1.一種掩膜基板,在基板上具備遮光膜,其特征在于, 所述遮光膜由含有金屬元素的材料構成, 所述遮光膜是所述金屬元素的含量在厚度方向上變化的組分傾斜膜, 在所述遮光膜從接近所述基板的一方依次被分割為遮光部和防反射部時, 所述防反射部相對于350nm以上且520nm以下的波長區域的光的折射率nA為2.1以下, 在所述波長區域的光透過所述防反射部時所述波長區域的光所產生的、以與所述防反射部的厚度相同的距離在空氣中透射的光之間的相位差為28度以上, 所述防反射部的膜厚為20nm以上且60nm以下。
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