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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海財(cái)盈半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利一種放電反應(yīng)器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120364651B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202510872792.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C01B13/11；該發(fā)明授權(quán)一種放電反應(yīng)器及其制備方法是由張德才設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種放電反應(yīng)器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種放電反應(yīng)器及其制備方法，其屬于放電反應(yīng)技術(shù)領(lǐng)域，所述放電反應(yīng)器包括第一電極層和第二電極層，在第一電極層和第二電極層之間層疊設(shè)置有至少一層介質(zhì)層和至少一層氣隙層，介質(zhì)層與氣隙層相鄰，至少一層介質(zhì)層的表面構(gòu)造有多個(gè)凸點(diǎn)，凸點(diǎn)位于氣隙層內(nèi)且形成對氣隙層厚度的限制和支撐，氣隙層內(nèi)凸點(diǎn)以外的部分形成貫通的氣隙通道空間。本發(fā)明通過在介質(zhì)層上構(gòu)建凸點(diǎn)來限制和支撐氣隙，精準(zhǔn)控制氣隙厚度，能夠確保氣隙厚度一致性，保證腔內(nèi)均勻放電，在臭氧發(fā)生器中可提高臭氧濃度和產(chǎn)率，提升放電效率；同時(shí)通過凸點(diǎn)連接增強(qiáng)了介質(zhì)層和電極層的穩(wěn)固性，減少松動(dòng)位移，維持電場穩(wěn)定，保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

本發(fā)明授權(quán)一種放電反應(yīng)器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種放電反應(yīng)器，其特征在于，包括電極層，電極層包括第一電極層和第二電極層，在第一電極層和第二電極層之間層疊設(shè)置有至少一層介質(zhì)層和至少一層氣隙層，介質(zhì)層與氣隙層相鄰，至少一層介質(zhì)層的表面構(gòu)造有多個(gè)凸點(diǎn)，凸點(diǎn)位于氣隙層內(nèi)且形成對氣隙層厚度的限制和支撐，氣隙層內(nèi)凸點(diǎn)以外的部分形成貫通的氣隙通道空間；凸點(diǎn)為通過激光分層刻蝕工藝在介質(zhì)層表面構(gòu)造形成；凸點(diǎn)在介質(zhì)層表面均勻分布設(shè)置且所有凸點(diǎn)的高度相同；電極層為圖形化的電極層，電極層在與凸點(diǎn)相對應(yīng)的位置為空；氣隙層厚度為20μm～200μm。

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