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龍圖騰網獲悉蘇州博志金鉆科技有限責任公司申請的專利一種具有絕緣薄膜的微針陣列電極及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114795222B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210478532.0，技術領域涉及：A61B5/262；該發明授權一種具有絕緣薄膜的微針陣列電極及其制備方法是由潘遠志;王志博;許文天;鄧敏航設計研發完成，并于2022-05-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有絕緣薄膜的微針陣列電極及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明適用于生物電信號監測技術領域，提供了一種具有絕緣薄膜的微針陣列電極，包括：多組設置于微針陣列基底上的微針基體，且多組微針基體相互導通；絕緣薄膜，所述絕緣薄膜覆蓋在所述微針基體表面，本發明為一種絕緣薄膜微針陣列電極，通過隔絕皮膚表皮、皮膚角質層與微針導電區域接觸，可以有效的屏蔽由于表皮汗液或角質層本身帶來的不穩定外部信號噪音，另一方面可以避免表皮皮脂膜、角質細胞及細胞間脂質噪音對于信號傳輸的干擾，實現表皮層活性細胞電信號的精準采集和傳輸，避免由于皮膚外部干擾信號對生物電信號本身、生物電信號傳導造成的干擾。

本發明授權一種具有絕緣薄膜的微針陣列電極及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有絕緣薄膜的微針陣列電極，包括多組設置于微針陣列基底上的微針基體，且多組微針基體相互導通，其特征在于，還包括： 絕緣薄膜，所述絕緣薄膜覆蓋在所述微針基體表面； 所述具有絕緣薄膜的微針陣列電極的制備方法包括如下步驟： 步驟1：制備微針陣列； 步驟2：在步驟1中的微針陣列上制備絕緣結構，得到具有絕緣薄膜的微針陣列電極； 在步驟1中，所述制備微針陣列的制備方法包括： 步驟1.1：使用濕法刻蝕的方法制造硅基微針陣列，選用1.0-2.0mm厚的硅片作為微針陣列的微針基體；使用100-500nm的硅氧化物層作對電極的掩蔽層；使用Bosch工藝進行各向異性循環，通入50-90mLmin的C4F8氣體蝕刻5-10s；通入100-150mLmin的SF6氣體鈍化2-9s，硅與硅氧化物的刻蝕比大于300：1，刻蝕深寬大于100：1；通入10-80mLmin的C4F8氣體蝕刻10-20s； 步驟1.2：使用磁控濺射方法在微針陣列表面鍍附一層金屬導電層，使得微針陣列表面具有導電性，對硅基微針陣列進行加熱預處理，加熱至40-70℃，然后通入Ar氣體調整氣壓為1-5Pa，使用功率為100W的射頻等離子清洗3-7min；進入單面多工的鍍膜環節，控制反應腔室的氣壓為0.1-0.05Pa，載盤速度為30-50rmin，偏壓為30-60V，濺射靶材為Pt，循環3次，每鍍兩道降溫5-10min；最后再通入Ar氣體，降溫10-15min后從鍍膜室中移出成品； 在步驟2中，所述絕緣結構的制備方法包括： 在微針陣列表面濺射或鍍附絕緣涂層，通過激光加工的方法刻蝕掉針尖上端的絕緣涂層，得到具有絕緣薄膜的微針陣列電極； 在步驟2中，所述絕緣結構的制備方法包括： 對微針針尖上部分微針總高度的5-90％進行掩模保護，在微針基體上濺射或鍍附絕緣涂層，將掩膜保護層清洗干凈得具有絕緣薄膜的微針陣列電極； 在步驟2中，所述絕緣結構的制備方法包括： 在微針陣列表面濺射或鍍附絕緣涂層，使用旋涂的方法對微針基體和微針針尖下部微針總高度的10-95％鍍覆一層刻蝕保護層進行保護，后對微針陣列進行整體刻蝕，暴露出微針針頭上部導電區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州博志金鉆科技有限責任公司，其通訊地址為：215151 江蘇省蘇州市高新區長亭路8號大新科技園3幢二樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。