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龍圖騰網(wǎng)獲悉昆山龍騰光電股份有限公司申請的專利陣列基板及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114512500B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210109200.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/40；該發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制作方法是由鐘德鎮(zhèn);蘇子芳;張軍設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-01-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本陣列基板及其制作方法在說明書摘要公布了：一種陣列基板及其制作方法，陣列基板包括：基底；形成在基底上的掃描線和柵極，柵極與掃描線導(dǎo)電連接；覆蓋在掃描線和柵極上的第一絕緣層；形成在第一絕緣層上的漏極、像素電極、源極和數(shù)據(jù)線，其中像素電極與漏極由第一透明導(dǎo)電層經(jīng)過圖案化處理而形成且兩者導(dǎo)電連接，數(shù)據(jù)線與源極由第二金屬層經(jīng)過圖案化處理而形成且兩者導(dǎo)電連接，源極與漏極間隔設(shè)置形成溝道區(qū)；至少覆蓋在漏極、溝道區(qū)和源極上的金屬氧化物半導(dǎo)體層，金屬氧化物半導(dǎo)體層填入溝道區(qū)并與漏極和源極導(dǎo)電連接；覆蓋在金屬氧化物半導(dǎo)體層上的絕緣遮光層，絕緣遮光層與金屬氧化物半導(dǎo)體層上下重疊設(shè)置。本發(fā)明的陣列基板及其制作方法不僅節(jié)約了成本，還減少了光生漏電現(xiàn)象。

本發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括： 基底11； 形成在所述基底11上的掃描線121和柵極122，所述柵極122與所述掃描線121導(dǎo)電連接； 覆蓋在所述掃描線121和所述柵極122上的第一絕緣層13； 形成在所述第一絕緣層13上的漏極141、像素電極142、源極151和數(shù)據(jù)線152，其中所述像素電極142與所述漏極141由第一透明導(dǎo)電層14經(jīng)過圖案化處理而形成且兩者導(dǎo)電連接，所述數(shù)據(jù)線152與所述源極151由第二金屬層15經(jīng)過圖案化處理而形成且兩者導(dǎo)電連接，所述源極151與所述漏極141間隔設(shè)置形成溝道區(qū)101； 至少覆蓋在所述漏極141、所述溝道區(qū)101和所述源極151上的金屬氧化物半導(dǎo)體層181，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層181填入所述溝道區(qū)101并與所述漏極141和所述源極151導(dǎo)電連接； 覆蓋在所述金屬氧化物半導(dǎo)體層181上的絕緣遮光層191，所述絕緣遮光層191與所述金屬氧化物半導(dǎo)體層181上下重疊設(shè)置。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人昆山龍騰光電股份有限公司，其通訊地址為：215301 江蘇省蘇州市昆山開發(fā)區(qū)龍騰路1號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。