浙江大學杭州國際科創中心董樹榮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學杭州國際科創中心申請的專利一種異質外延薄膜外延層的表面處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496746B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111483162.1，技術領域涉及：H01L21/18；該發明授權一種異質外延薄膜外延層的表面處理方法是由董樹榮;龐正基;軒偉鵬;金浩;駱季奎;劉剛;劉舒婷;鐘高峰;鄒錦林設計研發完成，并于2021-12-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種異質外延薄膜外延層的表面處理方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種異質外延薄膜外延層的表面處理方法，包括提供外延襯底，在所述外延襯底上表面制備一外延層，提供待鍵合層；鍵合所述外延層和所述待鍵合層；機械減薄拋光所述外延襯底下表面，當所述外延襯底的厚度減薄至20?40μm時停止拋光，在減薄后的外延襯底下表面旋涂一層含Si抗反射涂層有機碳層的光刻膠三層結構掩膜；對所述光刻膠三層結構掩膜表面加熱后進行化學機械減薄拋光，得到三層結構掩膜平坦化的外延襯底；干法刻蝕CMP拋光后的外延襯底表面直至所述外延層外漏得到異質外延薄膜外延層。該方法能夠使得轉移剝離露出的外延層的厚度均勻性較好。
本發明授權一種異質外延薄膜外延層的表面處理方法在權利要求書中公布了：1.一種異質外延薄膜外延層的表面處理方法，其特征在于，包括： 1提供外延襯底，在所述外延襯底上表面制備一外延層，提供待鍵合層；鍵合所述外延層和所述待鍵合層； 2機械減薄拋光所述外延襯底下表面，當所述外延襯底的厚度減薄至20-40μm時停止拋光，在減薄后的外延襯底下表面旋涂一層含Si抗反射涂層有機碳層的光刻膠三層結構掩膜； 3對所述光刻膠三層結構掩膜表面加熱后進行化學機械減薄拋光，得到三層結構掩膜平坦化的外延襯底； 4干法刻蝕所述的三層結構掩膜平坦化的外延襯底表面直至所述外延層外漏得到異質外延薄膜外延層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學杭州國際科創中心，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區建設三路733號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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