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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114361013B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111387283.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/18；該發(fā)明授權(quán)一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法是由許晟瑞;王心顥;贠博祥;盧灝;劉旭;徐爽;張進(jìn)成;張金風(fēng);郝躍設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種用于制作GaNHEMT的橫向金剛石GaN金剛石襯底及制備方法，方法包括：獲取兩片多晶金剛石，通過(guò)拋光將多晶金剛石的其中一面拋光成光滑面；獲取GaN單晶晶片，通過(guò)拋光將GaN單晶晶片的兩面均拋光成光滑面，其中，GaN單晶晶片的光滑面為非極性面；利用低溫鍵合工藝將兩片多晶金剛石的光滑面分別與GaN單晶晶片的兩個(gè)光滑面進(jìn)行鍵合，以得到橫向多晶金剛石GaN多晶金剛石襯底。本發(fā)明改善了傳統(tǒng)GaN外延襯底的散熱能力，并能提高外延GaN的質(zhì)量，并進(jìn)一步提高了器件的工作壽命和穩(wěn)定性，從而為器件在大功率下的工作奠定了基礎(chǔ)，可用于制作高頻、大功率GaN基HEMT器件。

本發(fā)明授權(quán)一種用于制作GaN HEMT的橫向金剛石/GaN/金剛石襯底及制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于制作GaNHEMT的橫向金剛石GaN金剛石襯底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 獲取兩片多晶金剛石，通過(guò)拋光將所述多晶金剛石的其中一面拋光成光滑面； 獲取GaN單晶晶片，通過(guò)拋光將所述GaN單晶晶片的兩面均拋光成光滑面，其中，所述GaN單晶晶片是非極性單晶晶片，所述GaN單晶晶片的光滑面為非極性面； 使用CVD工藝，分別在所述GaN單晶晶片和所述多晶金剛石的光滑面上淀積SiN鍵合層； 控制溫度為150℃以下，在氣壓低于10-5Pa的低真空度下，施加1-100N壓力，持續(xù)時(shí)間為1-10min，以使得所述GaN單晶晶片的兩個(gè)光滑面分別與兩個(gè)多晶金剛石的光滑面進(jìn)行鍵合； 在300-500℃溫度條件下，對(duì)鍵合處理后的所述GaN單晶晶片和所述多晶金剛石進(jìn)行熱退火處理，其中，熱退火時(shí)間為10-30min； 使用激光切割工藝對(duì)熱退火處理后的所述GaN單晶晶片和所述多晶金剛石進(jìn)行縱向切片，以得到若干切片，其中，切片厚度為1-10mm； 將所述切片的單面或雙面機(jī)械拋光至鏡面，以得到橫向多晶金剛石GaN多晶金剛石襯底，所述橫向金剛石GaN金剛石襯底包括：多晶金剛石1、SiN鍵合層2、GaN單晶晶片3、SiN鍵合層4、多晶金剛石5，多晶金剛石1、SiN鍵合層2、GaN單晶晶片3、SiN鍵合層4、多晶金剛5自左向右依次排布；所述橫向金剛石GaN金剛石襯底的表面的GaN為極性面，并且，所述橫向金剛石GaN金剛石襯底的兩面均用于進(jìn)行外延生長(zhǎng)，以分別實(shí)現(xiàn)Ga面或N面外延。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學(xué)，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。