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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力微電子有限公司申請(qǐng)的專利一種高壓器件的柵氧層及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114005746B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111276185.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/28；該發(fā)明授權(quán)一種高壓器件的柵氧層及其制造方法是由焦爽;秋沉沉;錢俊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高壓器件的柵氧層及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：一種高壓器件的柵氧層之制造方法，包括：提供硅基襯底，并在硅基襯底上沉積墊層氧化硅；在硅基襯底上設(shè)置有源區(qū)；在有源區(qū)設(shè)置高壓柵氧區(qū)，并去除墊層氧化硅；在高壓柵氧區(qū)通過(guò)常壓擴(kuò)散爐管工藝生長(zhǎng)第一柵氧層；對(duì)第一柵氧層進(jìn)行表面雜質(zhì)清洗；在經(jīng)過(guò)表面雜質(zhì)清洗后的第一柵氧層上通過(guò)高溫氧化膜工藝生長(zhǎng)第二柵氧層。本發(fā)明高溫器件的柵氧層經(jīng)過(guò)兩次熱處理工藝，增加了柵氧層的厚度，使缺陷線在所述第二柵氧層和所述第一柵氧層中隨機(jī)排布，無(wú)法擴(kuò)散到呈縱向疊置的復(fù)合結(jié)構(gòu)之柵氧層，進(jìn)而避免了所述第二柵氧層之上表面與所述第一柵氧層之下表面形成漏電通路問(wèn)題，提高了柵氧層的可靠性，增強(qiáng)了高壓器件的耐壓性33.3％。

本發(fā)明授權(quán)一種高壓器件的柵氧層及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高壓器件的柵氧層之制造方法，其特征在于，所述高壓器件的柵氧層之制造方法，包括： 執(zhí)行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上沉積墊層氧化硅； 執(zhí)行步驟S2：在所述硅基襯底上設(shè)置有源區(qū)，且所述有源區(qū)通過(guò)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離； 執(zhí)行步驟S3：在所述有源區(qū)設(shè)置高壓柵氧區(qū)，并去除墊層氧化硅； 執(zhí)行步驟S4：在所述高壓柵氧區(qū)通過(guò)常壓擴(kuò)散爐管工藝生長(zhǎng)第一柵氧層； 執(zhí)行步驟S5：對(duì)所述第一柵氧層進(jìn)行表面雜質(zhì)清洗； 執(zhí)行步驟S6：在經(jīng)過(guò)表面雜質(zhì)清洗后的第一柵氧層上進(jìn)一步通過(guò)高溫氧化膜工藝生長(zhǎng)第二柵氧層； 所述第一柵氧層的生長(zhǎng)速度大于所述第二柵氧層的生長(zhǎng)速度，所述第一柵氧層的厚度大于所述第二柵氧層的厚度。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人上海華力微電子有限公司，其通訊地址為：201315 上海市浦東新區(qū)良騰路6號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。