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龍圖騰網(wǎng)獲悉格芯(美國(guó))集成電路科技有限公司申請(qǐng)的專利多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區(qū)的結(jié)構(gòu)及相關(guān)方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114078743B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110924121.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/763；該發(fā)明授權(quán)多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區(qū)的結(jié)構(gòu)及相關(guān)方法是由M·D·萊維;S·P·埃杜蘇米利設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區(qū)的結(jié)構(gòu)及相關(guān)方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區(qū)的結(jié)構(gòu)及相關(guān)方法。一種結(jié)構(gòu)包括絕緣體上半導(dǎo)體SOI襯底，其包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的掩埋絕緣體層和位于掩埋絕緣體層上方的SOI層。該結(jié)構(gòu)還包括第一有源器件和第二有源器件。至少一個(gè)多晶有源區(qū)填充形狀位于SOI層中。多晶隔離區(qū)位于掩埋絕緣體層下方的半導(dǎo)體襯底中。多晶隔離區(qū)位于第一有源器件下方，但不位于第二有源器件下方。多晶隔離區(qū)延伸到半導(dǎo)體襯底中的不同深度。第一和第二有源器件可以包括單晶有源區(qū)，第三多晶有源區(qū)也可以位于多晶隔離區(qū)上方的SOI層中。

本發(fā)明授權(quán)多晶填充形狀和選擇性有源器件下方具有多晶隔離區(qū)的結(jié)構(gòu)及相關(guān)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括： 絕緣體上半導(dǎo)體SOI襯底，其包括半導(dǎo)體襯底、位于所述半導(dǎo)體襯底上方的掩埋絕緣體層，以及位于所述掩埋絕緣體層上方的SOI層； 位于所述SOI層中的至少一個(gè)多晶有源區(qū)填充形狀； 位于所述SOI層中的第一有源器件和第二有源器件；以及 位于所述掩埋絕緣體層下方的所述半導(dǎo)體襯底中的多晶隔離區(qū)， 其中所述多晶隔離區(qū)位于所述第一有源器件下方，但不位于所述第二有源器件下方。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人格芯(美國(guó))集成電路科技有限公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。