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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法和制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113517220B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202110307241.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法和制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法是由陳憲偉;陳潔;陳明發(fā)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-23向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法和制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法在說明書摘要公布了：半導(dǎo)體器件包括位于電路上方的第一鈍化層和位于第一鈍化層上方的導(dǎo)電焊盤，其中，導(dǎo)電焊盤電連接至電路。第二鈍化層設(shè)置在導(dǎo)電焊盤和第一鈍化層上方，并且具有第一開口和第二開口。第一開口暴露在導(dǎo)電焊盤下面延伸的層的上表面，并且第二開口暴露導(dǎo)電焊盤。第一絕緣層設(shè)置在第二鈍化層上方并填充第一開口和第二開口。襯底通孔延伸穿過絕緣層、第二鈍化層、鈍化層和襯底。襯底通孔和第二鈍化層的側(cè)具有填充有第一絕緣層的間隙。導(dǎo)電通孔延伸穿過第一絕緣層并連接至導(dǎo)電焊盤。本申請的實(shí)施例還涉及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件的方法。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法和制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括： 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上方形成導(dǎo)電焊盤； 在所述導(dǎo)電焊盤上方形成鈍化層； 在所述鈍化層中形成第一開口，并且在所述鈍化層中形成第二開口，其中，所述第二開口暴露所述導(dǎo)電焊盤，并且其中，所述第一開口與所述導(dǎo)電焊盤間隔開且在所述第二開口外部，并且所述第一開口暴露在所述導(dǎo)電焊盤下面延伸且與所述導(dǎo)電焊盤物理接觸的層的上表面； 在所述第一開口中形成第一導(dǎo)電通孔，其中，所述第一導(dǎo)電通孔延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；以及 在所述第二開口中形成第二導(dǎo)電通孔，其中，所述第二導(dǎo)電通孔連接至所述導(dǎo)電焊盤。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺(tái)灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。