南亞科技股份有限公司賴朝文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南亞科技股份有限公司申請的專利具有氣隙區的半導體結構的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114639633B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110171380.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權具有氣隙區的半導體結構的制造方法是由賴朝文;龔耀雄設計研發完成，并于2021-02-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有氣隙區的半導體結構的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有氣隙區的半導體結構的制造方法，包括：形成犧牲材料層及導電元件，犧牲材料層側向鄰接導電元件；在導電元件及犧牲材料層上形成遮罩圖案；根據遮罩圖案移除犧牲材料層的一部分，以露出剩余的犧牲材料層的側表面；以及從剩余的犧牲材料層的側表面進行等離子蝕刻工藝，以完全移除剩余的犧牲材料層而形成鄰接導電元件的氣隙區。此方法通過形成犧牲材料層、移除犧牲材料層的一部分以及從剩余的犧牲材料層的側表面進行等離子蝕刻工藝以完全移除剩余的犧牲材料層，從而形成位于兩導電元件之間的氣隙區其介電常數為1，以有效降低兩導電元件之間的寄生電容。
本發明授權具有氣隙區的半導體結構的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有氣隙區的半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 形成犧牲材料層及導電元件，所述犧牲材料層側向鄰接導電元件； 在所述導電元件及所述犧牲材料層上形成遮罩圖案； 根據所述遮罩圖案移除所述犧牲材料層的一部分，以露出剩余的所述犧牲材料層的一側表面；以及 從剩余的所述犧牲材料層的所述側表面進行等離子蝕刻工藝，以完全移除剩余的所述犧牲材料層而形成鄰接所述導電元件的所述氣隙區，其中剩余的所述犧牲材料層的寬度小于或等于5納米。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南亞科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新北市泰山區南林路98號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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