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龍圖騰網(wǎng)獲悉琳得科株式會社申請的專利帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115023801B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202180010299.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/683；該發(fā)明授權(quán)帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法是由根本拓;田村櫻子;古野健太;古賀遙設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法、包括實(shí)施所述帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法的工序的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造方法、以及包括實(shí)施所述帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法的工序的包含帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法包括：工序S1：將多個(gè)帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片以所述保護(hù)膜側(cè)為貼合面貼合于粘合劑層X1的工序；工序S2：使所述多個(gè)帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片中的一部分帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的所述保護(hù)膜的至少一部分升華而產(chǎn)生氣體，使所述一部分帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片與所述粘合劑層X1的粘接力降低的工序。

本發(fā)明授權(quán)帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的剝離方法，其包括下述工序S1及下述工序S2， ·工序S1：將多個(gè)帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片以所述保護(hù)膜側(cè)為貼合面貼合于粘合劑層X1的工序； ·工序S2：使所述多個(gè)帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片中的一部分帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的所述保護(hù)膜的至少一部分升華而產(chǎn)生氣體，使所述一部分帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片與所述粘合劑層X1的粘接力降低的工序， 使所述帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的所述保護(hù)膜為能夠吸收激光的保護(hù)膜， 所述工序S2通過對所述一部分帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的所述保護(hù)膜的至少一部分照射所述激光而進(jìn)行。

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