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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利等離子體處理裝置、處理方法及上部電極構(gòu)造獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112447484B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010905300.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)等離子體處理裝置、處理方法及上部電極構(gòu)造是由四本松康太;石橋淳治;佐佐木淳一;花岡秀敏設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-01向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本等離子體處理裝置、處理方法及上部電極構(gòu)造在說明書摘要公布了：一種等離子體處理裝置，其用于對(duì)在基板的邊緣區(qū)域產(chǎn)生的傾斜形狀的隨時(shí)間的變化進(jìn)行抑制。該等離子體處理裝置包括：腔室；下部電極，用于在所述腔室內(nèi)放置基板；邊緣環(huán)，布置于所述下部電極的周圍；部件，布置于在所述腔室內(nèi)與所述下部電極相對(duì)的上部電極的周圍；氣體供給部，向所述部件與所述下部電極之間的處理空間供給處理氣體；以及高頻供電部，向所述下部電極或所述上部電極施加用于生成所述處理氣體的等離子體的高頻電力，其中，所述部件具有內(nèi)側(cè)部件、以及位于所述內(nèi)側(cè)部件的外側(cè)的外側(cè)部件，所述外側(cè)部件在徑向上相對(duì)于所述邊緣環(huán)位于外側(cè)，所述外側(cè)部件的至少一部分能夠根據(jù)所述邊緣環(huán)的消耗而在上下方向上移動(dòng)。

本發(fā)明授權(quán)等離子體處理裝置、處理方法及上部電極構(gòu)造在權(quán)利要求書中公布了：1.一種等離子體處理裝置，包括： 腔室； 下部電極，用于在所述腔室內(nèi)放置基板； 邊緣環(huán)，布置于所述下部電極的周圍； 部件，布置于支承部件的下方，該支承部件用于將在所述腔室內(nèi)與所述下部電極相對(duì)的上部電極支承在腔室主體的上部； 氣體供給部，向所述部件與所述下部電極之間的處理空間供給處理氣體；以及 高頻供電部，向所述下部電極或所述上部電極施加用于生成所述處理氣體的等離子體的高頻電力， 其中，所述部件具有由導(dǎo)電性部件形成的內(nèi)側(cè)部件、以及由導(dǎo)電性部件形成且位于所述內(nèi)側(cè)部件的徑向外側(cè)的外側(cè)部件， 所述上部電極與所述內(nèi)側(cè)部件之間電絕緣， 所述外側(cè)部件與所述內(nèi)側(cè)部件之間電絕緣， 所述外側(cè)部件在徑向上相對(duì)于所述邊緣環(huán)位于外側(cè)， 所述外側(cè)部件的至少一部分能夠根據(jù)所述邊緣環(huán)的消耗而在上下方向上移動(dòng)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。