臺灣積體電路制造股份有限公司楊柏峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114664930B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210353532.8，技術領域涉及：H10D62/13；該發明授權半導體器件和方法是由楊柏峰;張哲誠;巫柏奇設計研發完成，并于2017-12-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件和方法在說明書摘要公布了：提供了制造工藝和器件，其中，在襯底內形成第一開口。使用第二蝕刻工藝將第一開口重塑為第二開口。利用自由基蝕刻實施第二蝕刻工藝，其中，自由基蝕刻利用中性離子。因此，減小襯底的推動。本發明的實施例還涉及半導體器件及其制造方法。
本發明授權半導體器件和方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 第一半導體鰭，位于襯底上方； 柵極堆疊件，位于所述第一半導體鰭上面； 第一間隔件，位于所述柵極堆疊件的側壁上；以及 第一開口，位于所述第一半導體鰭內并且底切所述第一間隔件，所述第一開口的表面鄰近距離與尖端鄰近距離具有小于3nm的差異，如果參考線與所述柵極堆疊件的側壁對準，沿著所述第一半導體鰭的頂面從參考線至鄰近于所述第一開口的所述第一半導體鰭的尖端測量第一距離以獲得所述尖端鄰近距離，在所述第一半導體鰭的中間高度處從所述參考線至所述第一開口周圍所述第一間隔件的外邊緣測量第二距離以獲得所述表面鄰近距離； 位于所述襯底上方的第二半導體鰭內的第二開口，其中，所述第一開口具有第一深度，所述第二開口具有與所述第一深度不同的第二深度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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