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龍圖騰網獲悉上海芯龍半導體技術股份有限公司申請的專利一種抖頻電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120377648B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510873227.5，技術領域涉及：H02M1/44；該發明授權一種抖頻電路是由許錦龍;李瑞平設計研發完成，并于2025-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種抖頻電路在說明書摘要公布了：本發明公開一種抖頻電路，其振蕩級具有比較器COMP1和反相器INV1，配合電壓源形成的參考電壓VREF的變動，實現滯回比較器的功能，其基準電壓控制級包括：第四NMOS管NM4接收第五PMOS管PM5的電流生成新的偏置電壓，由PMOS管組成的跨導放大器的折疊輸入級并分別連接其他電路電壓VM和比較電壓VCAP,第十四PMOS管PM14、第三電阻R3、第二電容C2組成基準電壓電路，用于生成振蕩器參考電壓VOSCREF，所述振蕩器參考電壓VOSCREF輸入共源共柵級轉化所述折疊輸入級的電流差，實現幾乎線性的跨導放大。經本申請實現抖頻功能，使開關電源的噪聲下降，更容易實現電磁兼容，減少電源設計者的勞動。

本發明授權一種抖頻電路在權利要求書中公布了：1.一種抖頻電路，其包括作為第一級電路STAGE1的振蕩級和作為第二級電路STAGE2的基準電壓控制級，其特征在于： 所述振蕩級包括：比較器COMP1和反相器INV1，配合電壓源的高電壓VH與低電壓VL形成的參考電壓VREF的變動，實現滯回比較器的功能，第一、二PMOS管PM1、PM2組成電流鏡，用于成比例復制電流源I1的電流，所述第二PMOS管PM2同第三PMOS管PM3組成電流鏡，第一、二NMOS管NM1、NM2組成電流鏡，第四PMOS管PM4用于控制所述第三PMOS管PM3的電流是否可以流入所述比較器COMP1的比較電壓VCAP節點；第三NMOS管NM3用于控制所述比較電壓VCAP節點的電流是否可以流入所述第二NMOS管NM2； 所述第二、三PMOS管PM2、PM3的有效寬長比的比值等于所述第一、二NMOS管NM1、NM2的有效寬長比的比值，所述第一、二、三PMOS管PM1、PM2、PM3共源極至電源VDD且共柵極連接所述電流源I1，所述第一、二NMOS管NM1、NM2共源極并接地且共柵極并連接所述第二PMOS管PM2的漏極和所述第一NMOS管NM1的漏極，所述第一PMOS管PM1的漏極連接所述電流源I1； 所述基準電壓控制級包括：第五PMOS管PM5為基準電流源，第四NMOS管NM4接收所述第五PMOS管PM5的電流，生成新的偏置電壓，由PMOS管組成的跨導放大器的折疊輸入級并分別連接其他電路電壓VM和所述比較電壓VCAP,第十四PMOS管PM14、第三電阻R3、第二電容C2組成基準電壓電路，用于生成振蕩器參考電壓VOSCREF，所述振蕩器參考電壓VOSCREF輸入共源共柵級轉化所述折疊輸入級的電流差，實現幾乎線性的跨導放大。

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