復旦大學王天宇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉復旦大學申請的專利一種多端平面型神經形態憶阻器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005934B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111270370.3，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種多端平面型神經形態憶阻器及其制備方法是由王天宇;孟佳琳;陳琳;孫清清;張衛設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多端平面型神經形態憶阻器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種多端平面型憶阻器及其制備方法。該多端平面型憶阻器包括：襯底；功能層，其為二維材料，形成在所述襯底上；多個金屬電極，彼此無接觸，呈發射狀分布在所述功能層表面，其中一個電極作為后端電極，其余電極作為前端電極，用連續的電學脈沖時序向多個所述前端電極進行輸入，對所述后端電極電導狀態進行采集，實現多元的神經形態協同計算功能。
本發明授權一種多端平面型神經形態憶阻器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種多端平面型憶阻器，其特征在于， 包括： 襯底； 功能層，其為二維材料，形成在所述襯底上； 多個金屬電極，彼此無接觸，呈發射狀分布在所述功能層表面，其中一個電極作為后端電極，其余電極作為前端電極， 借助金屬電極的金屬離子的電化學遷移效應，用連續的電學脈沖時序向多個所述前端電極進行輸入，對所述后端電極電導狀態進行采集，實現多元的神經形態協同計算功能， 其中，向所述多個前端電極施加正向電壓，所述后端電極做接地處理，使所述前端電極部分氧化產生金屬離子，并在正向電壓的刺激下向后端電極移動， 當可移動的金屬離子到達后端電極時，會在后端電極還原為金屬原子并不斷向正極積累，當金屬原子在前端電極和后端電極間連接時，形成多條導電通道，從而使得后端電極采集到的電導呈現非線性增強的變化， 這一過程模擬生物體系中的多元神經突觸的活動，由多個突觸前端對同一個突觸后端進行調節，使得突觸權重得以非線性更迭，完成多元的神經形態計算。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人復旦大學，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區邯鄲路220號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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