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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115985885B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202111190824.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/538；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法是由劉志拯設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-13向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底以及位于襯底內(nèi)的導(dǎo)電通孔、第一導(dǎo)電類型晶體管及第二導(dǎo)電類型晶體管；其中，第一導(dǎo)電類型晶體管沿第一方向設(shè)置于導(dǎo)電通孔的兩側(cè)；第二導(dǎo)電類型晶體管沿第二方向設(shè)置于導(dǎo)電通孔的另外兩側(cè)；第一方向與第二方向垂直；第一金屬層，位于襯底上，第一金屬層包括至少一條沿第一方向延伸的第一金屬線，第一金屬線與第一導(dǎo)電類型晶體管的柵極電連接；第二金屬層，位于第一金屬層上，第二金屬層包括至少一條沿第二方向延伸的第二金屬線，第二金屬線與第二導(dǎo)電類型晶體管的柵極電連接；其中，第一金屬線和第二金屬線相互交叉構(gòu)成覆蓋導(dǎo)電通孔的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底以及位于所述襯底內(nèi)的導(dǎo)電通孔、第一導(dǎo)電類型晶體管及第二導(dǎo)電類型晶體管；其中，所述第一導(dǎo)電類型晶體管沿第一方向設(shè)置于所述導(dǎo)電通孔的兩側(cè)；所述第二導(dǎo)電類型晶體管沿第二方向設(shè)置于所述導(dǎo)電通孔的另外兩側(cè)；所述第一方向與所述第二方向垂直； 第一金屬層，位于所述襯底上，所述第一金屬層包括至少一條沿第一方向延伸的第一金屬線，所述第一金屬線與所述第一導(dǎo)電類型晶體管的柵極電連接； 第二金屬層，位于所述第一金屬層上，所述第二金屬層包括至少一條沿第二方向延伸的第二金屬線，所述第二金屬線與所述第二導(dǎo)電類型晶體管的柵極電連接； 其中，所述第一金屬線和所述第二金屬線相互交叉構(gòu)成覆蓋所述導(dǎo)電通孔的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

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