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龍圖騰網獲悉美新半導體(無錫)有限公司申請的專利一種紅外熱電堆傳感裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113310583B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110705145.1，技術領域涉及：G01J5/12；該發明授權一種紅外熱電堆傳感裝置是由劉堯;凌方舟;蔣樂躍;姜萍設計研發完成，并于2021-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種紅外熱電堆傳感裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種紅外熱電堆傳感裝置，其包括基于襯底形成的熱電堆傳感器，所述熱電堆傳感器包括：懸空薄膜，其懸置于所述襯底的空腔之上；多個熱電偶，其設置于所述懸空薄膜中，所述熱電偶的熱端懸置于所述襯底的空腔之上，且所述熱電偶的熱端位于所述懸空薄膜的內側；所述熱電偶的冷端懸置于所述襯底的空腔之上，且所述熱電偶的冷端位于所述懸空薄膜的外邊緣；高熱導率填充區，其設置于所述懸空薄膜的外側，其緊鄰所述熱電偶的冷端，且跨過所述襯底的空腔的邊界，并且延伸至所述襯底上。與現有技術相比，本發明不僅可以與標準CMOS工藝兼容，而且還可以使紅外熱電堆的熱學參數不敏感工藝偏差，提高器件性能一致性。

本發明授權一種紅外熱電堆傳感裝置在權利要求書中公布了：1.一種紅外熱電堆傳感裝置，其特征在于，其包括基于襯底形成的熱電堆傳感器，所述熱電堆傳感器包括： 懸空薄膜，其懸置于所述襯底的空腔之上； 多個熱電偶，其設置于所述懸空薄膜中，所述熱電偶的熱端懸置于所述襯底的空腔之上，且所述熱電偶的熱端位于所述懸空薄膜的內側；所述熱電偶的冷端懸置于所述襯底的空腔之上，且所述熱電偶的冷端位于所述懸空薄膜的外邊緣； 高熱導率填充區，其設置于所述懸空薄膜的外側，所述高熱導率填充區與所述熱電偶的冷端的距離介于0.2到5um之間，且所述高熱導率填充區跨過所述襯底的空腔的邊界，并且延伸至所述襯底上， 所述懸空薄膜包括依次層疊的多晶硅層、第一金屬層和第二金屬層， 所述熱電偶由多晶硅層、第一金屬層和或第二金屬層構成， 所述高熱導率填充區由導熱高的材料堆疊而成，所述高熱導率填充區由多晶硅層、第一金屬層和或第二金屬層構成， 其中，所述高熱導率填充區的第一金屬層與所述懸空薄膜的第一金屬層是相同的一層金屬圖形化而成的不同部分，所述高熱導率填充區的第二金屬層與所述懸空薄膜的第二金屬層是相同的另一層金屬圖形化而成的不同部分，所述高熱導率填充區的多晶硅層與所述懸空薄膜的多晶硅層是相同的一層多晶硅圖形化而成的不同部分， 所述多晶硅層和所述襯底之間還設置有介質層； 所述多晶硅層和所述第二金屬層之間也設置有介質層； 所述第一金屬層和第二金屬層之間也設置有介質層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美新半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區新輝環路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。