TCL科技集團股份有限公司林雄風獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉TCL科技集團股份有限公司申請的專利一種量子點發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115440904B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110622011.3,技術領域涉及:H10K50/115;該發明授權一種量子點發光二極管及其制備方法是由林雄風設計研發完成,并于2021-06-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種量子點發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了:本申請實施例公開了一種量子點發光二極管的制備方法,包括如下步驟:提供襯底,在襯底上形成底電極;提供界面修飾材料、電子傳輸材料及有機溶劑,混合,得到混合溶液;提供量子點材料,將量子點材料設置在底電極上,形成量子點膜,再將混合溶液設置在所述量子點膜的表面,干燥以得到量子點發光層及電子傳輸層,其中,所述量子點膜為量子點干膜或量子點濕膜;在所述電子傳輸層上形成頂電極。所述制備方法可以使得量子點與電子傳輸材料之間的接觸模式由常規的點接觸改為面接觸,可以有效的增加量子點發光層與電子傳輸層之間的有效接觸面積,促進量子點發光層與電子傳輸層之間的電子傳輸。本申請還提供一種由所述制備方法制得的量子點發光二極管。
本發明授權一種量子點發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種量子點發光二極管的制備方法,其包括如下步驟: 提供襯底,在所述襯底上形成底電極; 提供界面修飾材料、電子傳輸材料及有機溶劑,混合,得到混合溶液; 提供量子點材料,將所述量子點材料設置在底電極上,形成量子點濕膜,再將所述混合溶液通過溶液法設置在所述量子點濕膜的表面,使量子點濕膜表面的量子點與電子傳輸材料互混,成膜后干燥,得到量子點發光層、結合于所述量子點發光層的過渡層、及結合于過渡層的電子傳輸層,所述過渡層內包含量子點、界面修飾材料及電子傳輸材料,所述過渡層中的量子點來自所述量子點濕膜,所述過渡層中的界面修飾材料填充在所述過渡層中的量子點之間的間隙中、電子傳輸材料之間的間隙中、及量子點與電子傳輸材料之間的間隙中; 在所述電子傳輸層上形成頂電極。
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