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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利在SiC基電子器件中的歐姆接觸形成獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113539831B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110410319.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)在SiC基電子器件中的歐姆接觸形成是由S·拉斯庫納;M·G·薩吉奧;G·弗蘭科設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本在SiC基電子器件中的歐姆接觸形成在說明書摘要公布了：本申請的實施例涉及在SiC基電子器件中的歐姆接觸形成。一種用于制造SiC基電子器件的方法，包括步驟：在由具有N型導(dǎo)電性的SiC構(gòu)成的固體的前側(cè)上注入P型的摻雜劑物質(zhì)，因此形成注入?yún)^(qū)域，該注入?yún)^(qū)域在固體中從前側(cè)開始延伸并且具有與前側(cè)共面的頂面；以及生成朝向注入?yún)^(qū)域定向的激光光束，以便將注入?yún)^(qū)域加熱到介于1500℃和2600℃之間的溫度，從而在注入?yún)^(qū)域處形成富碳電接觸區(qū)域。富碳電接觸區(qū)域形成歐姆接觸。

本發(fā)明授權(quán)在SiC基電子器件中的歐姆接觸形成在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造SiC基電子器件的方法，包括： 提供具有第二導(dǎo)電類型的摻雜劑的SiC襯底，所述SiC襯底具有沿第一方向與第二表面相對的第一表面； 通過在從外部經(jīng)過所述SiC襯底的第一表面注入所述SiC襯底中的第一導(dǎo)電類型的摻雜劑，形成第一摻雜區(qū)域，所述第一導(dǎo)電類型不同于所述第二導(dǎo)電類型，所述第一摻雜區(qū)域在所述SiC襯底中沿所述第一方向從所述SiC襯底的第一表面向所述SiC襯底的第二表面延伸； 在第一摻雜區(qū)域中形成第二摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電類型； 在所述SiC襯底的第一表面上形成第一柵，所述第一柵沿所述第一方向與所述第二摻雜區(qū)域的第一邊緣重疊； 在所述SiC襯底的第一表面上形成第二柵，所述第二柵沿所述第一方向與所述第二摻雜區(qū)域的第二邊緣重疊；以及 在所述第一柵和所述第二柵之間的所述第一摻雜區(qū)域處形成第一富碳電接觸區(qū)域，所述第一富碳電接觸區(qū)域在所述第二摻雜區(qū)域中， 其中所述第一摻雜區(qū)域的頂面、所述第二摻雜區(qū)域的頂面、所述第一富碳電接觸區(qū)域的頂面與所述SiC襯底的第一表面共面； 其中在所述第一方向上，所述第一摻雜區(qū)域的厚度、所述第二摻雜區(qū)域的厚度、所述第一富碳電接觸區(qū)域的厚度依次減小。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人意法半導(dǎo)體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。