HOYA株式會社田邊勝獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉HOYA株式會社申請的專利光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN113406855B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202110265084.1,技術領域涉及:G03F1/26;該發(fā)明授權光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法是由田邊勝;淺川敬司;安森順一設計研發(fā)完成,并于2021-03-10向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明的課題在于,提供一種在對相移膜進行濕法蝕刻時可以縮短過刻蝕時間、抑制基板的損傷、可以形成具有良好的截面形狀、LER、且耐化學品性也良好的轉印圖案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版,光掩模在透明基板上具有通過對相移膜進行濕法蝕刻而得到的相移膜圖案,相移膜由單層或多層構成,并且相對于整體膜厚的50%以上且100%以下包含由含有鉬、鋯、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料層,MoZrSi系材料層中的鉬與鋯的原子比率為Mo:Zr=1.5:1~1:4,硅相對于鉬、鋯及硅的合計的含有比率為70~88原子%。
本發(fā)明授權光掩模坯料、光掩模的制造方法及顯示裝置的制造方法在權利要求書中公布了:1.一種光掩模坯料,其在透明基板上具有相移膜, 所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版,該光掩模是在所述透明基板上具有相移膜圖案的光掩模,所述相移膜圖案是通過對所述相移膜進行濕法蝕刻而得到的, 所述相移膜由單層或多層構成,并且包含相對于該相移膜的整體膜厚的50%以上且100%以下的由含有鉬Mo、鋯Zr、硅Si及氮的材料形成的MoZrSi系材料層, 所述MoZrSi系材料層中的鉬與鋯的原子比率為Mo:Zr=1.5:1~1:4,并且硅相對于鉬、鋯及硅的合計的含有比率為70~88原子%。
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