臺灣積體電路制造股份有限公司陳揚哲獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體測試元件及半導體測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114512415B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011285345.8，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權半導體測試元件及半導體測試方法是由陳揚哲;周維裕;林振華;陳啟平;林漢仲;鄭詠世;王智麟;曾皇文;梁其翔;劉醇明設計研發完成，并于2020-11-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體測試元件及半導體測試方法在說明書摘要公布了：本發明實施例涉及半導體測試元件及半導體測試方法。一種半導體測試元件，包含有：半導體襯底、第一內部互連結構、第二內部互連結構、連接金屬層、重布層結構、第一端點以及第二端點。所述第一內部互連結構與所述第二內部互連結構設置于所述半導體襯底上，與所述半導體襯底電性隔離。所述連接金屬層電性連接所述第一內部互連結構與所述第二內部互連結構，且與所述半導體襯底電性隔離。所述重布層結構與所述第一內部互連結構及所述第二內部互連結構電性連接。所述第一端點與所述第二端點通過所述重布層結構分別與所述第一內部互連結構及所述第二內部互連結構電性連接。
本發明授權半導體測試元件及半導體測試方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體測試元件，包含有： 半導體襯底； 第一內部互連結構，設置于所述半導體襯底上，且與所述半導體襯底電性隔離； 第二內部互連結構，設置于所述半導體襯底上，且與所述半導體襯底電性隔離； 連接金屬層，電性連接所述第一內部互連結構與所述第二內部互連結構，且所述連接金屬層與所述半導體襯底電性隔離； 重布層結構，設置于所述第一內部互連結構與所述第二內部互連結構上，且與所述第一內部互連結構及所述第二內部互連結構電性連接； 第一端點，通過所述重布層結構與所述第一內部互連結構電性連接； 第二端點，通過所述重布層結構與所述第二內部互連結構電性連接；以及 虛設內部互連結構，設置于所述半導體襯底上且與所述半導體襯底電性隔離，其中所述虛設內部互連結構設置于所述第一內部互連結構與所述第二內部互連結構之間且與所述第一內部互連結構及所述第二內部互連結構電性隔離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園力行六路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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