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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會社申請的專利包括外延區(qū)的半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112909074B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011282169.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)包括外延區(qū)的半導(dǎo)體器件是由金傔;金東宇;李智惠;金真范;李商文;李承勛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包括外延區(qū)的半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底上的有源區(qū)；有源區(qū)上的溝道區(qū)；在有源區(qū)上鄰近溝道區(qū)的源極漏極區(qū)；溝道區(qū)上與溝道區(qū)交疊的柵極結(jié)構(gòu)；源極漏極區(qū)上的接觸結(jié)構(gòu)；接觸結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)之間的柵極間隔物；以及圍繞接觸結(jié)構(gòu)的側(cè)表面的接觸間隔物。源極漏極區(qū)包括具有凹陷表面的第一外延區(qū)、以及第一外延區(qū)的凹陷表面上的第二外延區(qū)，并且第二外延區(qū)包括延伸部，延伸部在水平方向上從在豎直方向上與接觸結(jié)構(gòu)交疊的部分延伸，并且在豎直方向上與接觸間隔物交疊。

本發(fā)明授權(quán)包括外延區(qū)的半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 隔離層，限定半導(dǎo)體襯底上的第一有源區(qū)； 所述隔離層上的層間絕緣層； 所述第一有源區(qū)上的溝道區(qū)； 源極漏極區(qū)，在所述第一有源區(qū)上，在第一水平方向上鄰近所述溝道區(qū)； 柵極結(jié)構(gòu)，在所述溝道區(qū)上，與所述溝道區(qū)交疊并且在與所述第一水平方向垂直的第二水平方向上縱向延伸； 所述源極漏極區(qū)上的接觸結(jié)構(gòu)； 所述接觸結(jié)構(gòu)和所述柵極結(jié)構(gòu)之間的柵極間隔物；以及 接觸間隔物，在所述第一水平方向上設(shè)置在所述接觸結(jié)構(gòu)和所述柵極間隔物之間，并且在所述第二水平方向上設(shè)置在所述接觸結(jié)構(gòu)和所述層間絕緣層之間， 其中，所述接觸間隔物由絕緣材料形成， 其中，所述接觸間隔物的下端在比所述柵極間隔物的下端低的高度水平處， 其中，所述接觸結(jié)構(gòu)包括金屬半導(dǎo)體復(fù)合層、以及所述金屬半導(dǎo)體復(fù)合層上的接觸塞， 其中，所述源極漏極區(qū)包括：基外延區(qū)，在所述基外延區(qū)上并具有凹陷表面的第一外延區(qū)，以及在所述第一外延區(qū)的所述凹陷表面上的第二外延區(qū)， 其中，所述基外延區(qū)的最上表面在與所述第一外延區(qū)的最上表面相同的高度水平處，或者在比所述第一外延區(qū)的最上表面高的高度水平處， 其中，所述基外延區(qū)的最上表面設(shè)置在所述柵極間隔物的下表面以下，與所述柵極間隔物豎直交疊，并且不與所述接觸間隔物豎直交疊， 其中，所述第二外延區(qū)的上表面與所述金屬半導(dǎo)體復(fù)合層接觸， 其中，所述第二外延區(qū)包括：延伸部，在所述第一水平方向上從在豎直方向上與所述接觸結(jié)構(gòu)交疊的部分縱向延伸到在所述豎直方向上與所述接觸間隔物交疊的部分，并且 其中，所述豎直方向與所述半導(dǎo)體襯底的上表面垂直。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。