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龍圖騰網獲悉株式會社電裝申請的專利碳化硅半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114600251B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080075352.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權碳化硅半導體裝置及其制造方法是由宮原真一朗;辻村理俊;山下侑佑設計研發完成，并于2020-10-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：具備電場緩和層3，該電場緩和層3包括第2導電型的第1區域3a和第2導電型的第2區域3b，上述第1區域3a形成在比溝槽7深的位置，上述第2區域3b以與溝槽的長度方向相同的方向作為長度方向并在多個溝槽之間分別與溝槽的側面分離地配置，并且將第1區域和基底區域相連。此外，設為如下結構：通過離子注入構成第1區域和第2區域，并且構成由第1區域和第2區域重疊而得到的二重注入區域3c，在二重注入區域中具有第2雜質濃度的峰值。

本發明授權碳化硅半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅半導體裝置，其特征在于， 具有： 由碳化硅構成的第1導電型或第2導電型的基板； 漂移層，形成在上述基板之上，由與上述基板相比為低雜質濃度的第1導電型的碳化硅構成； 基底區域，形成在上述漂移層之上，由第2導電型的碳化硅構成； 源極區域，形成在上述基底區域的上層部，由與上述漂移層相比為高濃度的第1導電型的碳化硅構成； 接觸區域，在上述基底區域的上層部中形成在與上述源極區域不同的位置，由與上述基底區域相比為高濃度的第2導電型的碳化硅構成； 溝槽柵構造，通過在從上述源極區域的表面起形成到比上述基底區域深的位置的以一個方向為長度方向而排列了多個的溝槽內隔著柵極絕緣膜形成有柵極電極，從而構成該溝槽柵構造； 源極電極，與上述源極區域及上述接觸區域電連接； 漏極電極，形成在上述基板的背面側；以及 電場緩和層，配置在上述漂移層內，包括第2導電型的第1區域和第2導電型的第2區域，上述第1區域形成在比上述溝槽深的位置，上述第2區域以與上述溝槽的長度方向相同的方向作為長度方向并在多個上述溝槽之間分別與該溝槽的側面分離地配置，并且上述第2區域將上述第1區域和上述基底區域相連， 上述第1區域和上述第2區域都由離子注入層構成，上述第1區域和上述第2區域重疊而構成二重注入區域，在該二重注入區域中具有第2雜質濃度的峰值。

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