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龍圖騰網(wǎng)獲悉成都賽力康電氣有限公司申請的專利一種低成本MOSFET模塊獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111900151B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010819803.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L25/07；該發(fā)明授權(quán)一種低成本MOSFET模塊是由李亮亮;潘波;許俊;楊堯設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-08-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種低成本MOSFET模塊在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種低成本MOSFET模塊，包括MOSFET晶片、MOSFET基板和綁定線；MOSFET晶片通過綁定線和MOSFET基板固定連接，且MOSFET晶片和MOSFET基板通信連接。本發(fā)明的晶圓的一致性好，封裝的模塊電氣特性好，且具有產(chǎn)品開發(fā)周期短，開發(fā)成本低和開發(fā)靈活的優(yōu)勢。體積小，雜散電感低，成本低，節(jié)省大部分的封裝成本，如模具、MOSFET框架和塑封料等。熱阻低，晶片直接貼于基板上，減少框架等中間層。多場景且靈活的應(yīng)用場合，可根據(jù)需求來進(jìn)行不同的布局。且無需開模，開發(fā)周期短。

本發(fā)明授權(quán)一種低成本MOSFET模塊在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低成本MOSFET模塊，其特征在于，包括MOSFET晶片（1）、MOSFET基板（11）和綁定線（9）； 所述MOSFET晶片（1）通過綁定線（9）和MOSFET基板（11）固定連接，且所述MOSFET晶片（1）和MOSFET基板（11）通信連接； 所述MOSFET基板（11）包括從上至下依次固定連接的導(dǎo)電材料層（6）、絕緣絕熱材料層（7）和散熱材料層（8）； 所述導(dǎo)電材料層（6）和絕緣絕熱材料層（7）之間以及絕緣絕熱材料層（7）和散熱材料層（8）之間均通過粘接的方式固定連接； 所述MOSFET晶片（1）直接貼于導(dǎo)電材料層（6）上且無MOSFET框架，晶片電極通過綁定線9與導(dǎo)電材料層6通信連接； 所述低成本MOSFET模塊還包括封裝材料（5）；所述MOSFET晶片（1）和綁定線（9）均通過封裝材料（5）封裝。

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