世界先進積體電路股份有限公司林文新獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉世界先進積體電路股份有限公司申請的專利靜電放電保護裝置及電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114068516B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010766403.2，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權靜電放電保護裝置及電路是由林文新;黃曄仁;邱俊榕;李建興設計研發完成，并于2020-08-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本靜電放電保護裝置及電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種靜電放電保護裝置及電路，其中該靜電放電保護裝置，包括一襯底、一第一PNP元件、一第二PNP元件以及一隔離區。襯底具有一P型導電性。第一PNP元件及第二PNP元件形成于襯底之中。隔離區分隔第一PNP元件及第二PNP元件。本發明中NPN元件的存在，當PNP元件導通時，PNP元件具有較高的維持電壓，并最佳化PNP元件的導通阻抗。此外，PNP元件可承受更高的靜電放電電流。
本發明授權靜電放電保護裝置及電路在權利要求書中公布了：1.一種靜電放電保護裝置，其特征在于，包括： 一襯底，具有一P型導電性； 一第一PNP元件，包括： 一第一阱，形成于該襯底之中，并具有一N型導電性； 一第一摻雜區，形成于該第一阱之中，并具有該P型導電性； 一第二摻雜區，形成于該第一阱之中，并具有該P型導電性； 一第二PNP元件，包括： 一第二阱，形成于該襯底之中，并具有該N型導電性； 一第三摻雜區，形成于該第二阱之中，并具有該P型導電性； 一第四摻雜區，形成于該第二阱之中，并具有該P型導電性； 一第一隔離區，形成于該襯底中，并分隔該第一PNP元件及該第二PNP元件； 一第五摻雜區，形成于該襯底中，并具有該P型導電性； 一第一走線，電連接該第一摻雜區及第五摻雜區； 一第六摻雜區，形成于該第一阱之中，并具有該N型導電性；以及 一第二走線，電連接該第二摻雜區、第三摻雜區及第六摻雜區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人世界先進積體電路股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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