三星電子株式會社金鎮南獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112289774B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010670130.1，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權半導體器件是由金鎮南;文光辰;李鎬珍;姜泌圭;羅勛奏設計研發完成，并于2020-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件在說明書摘要公布了：一種半導體器件包括：襯底，具有彼此相對的第一表面和第二表面，并且具有位于第一表面上并由第一隔離區限定的有源區；多個有源鰭，布置在有源區上，沿第一方向延伸，并且由第二隔離區限定，第二隔離區具有小于第一隔離區的第一深度的第二深度；掩埋導電布線，位于與所述多個有源鰭相鄰的溝槽中，并且沿所述溝槽的延伸方向延伸；填充絕緣部分，位于溝槽中，并且設置在掩埋導電布線周圍；層間絕緣層，位于第一隔離區和第二隔離區上，并且位于掩埋導電布線上；接觸結構，穿透層間絕緣層，并且接觸掩埋導電布線；以及導電貫通結構，從第二表面穿過襯底延伸到溝槽，并且接觸掩埋導電布線。
本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 襯底，所述襯底包括彼此相對的第一表面和第二表面，并且包括位于所述第一表面上并且由第一隔離區限定的有源區； 多個有源鰭，所述多個有源鰭布置在所述有源區上，沿第一方向延伸，并且由第二隔離區限定，所述第二隔離區具有小于所述第一隔離區的第一深度的第二深度； 掩埋導電布線，所述掩埋導電布線位于與所述多個有源鰭相鄰的溝槽中，并且沿所述溝槽的延伸方向延伸，其中，所述溝槽的深度小于所述第一隔離區的所述第一深度，并且大于所述第二隔離區的所述第二深度； 填充絕緣部分，所述填充絕緣部分位于所述溝槽中，并且設置在所述掩埋導電布線周圍； 層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述第一隔離區和所述第二隔離區上，并且位于所述掩埋導電布線上； 接觸結構，所述接觸結構穿透所述層間絕緣層，并且與所述掩埋導電布線接觸；以及 導電貫通結構，所述導電貫通結構從所述第二表面穿過所述襯底延伸到所述溝槽，并且與所述掩埋導電布線接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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