清華大學深圳國際研究生院李勃獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉清華大學深圳國際研究生院申請的專利吸波結構、器件以及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111697345B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010495458.4，技術領域涉及：H01Q17/00；該發明授權吸波結構、器件以及制作方法是由李勃;趙乾;李澤顏;朱朋飛;王浩;王榮設計研發完成，并于2020-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本吸波結構、器件以及制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種吸波結構、器件以及制作方法，吸波結構包括：磁性介質層；第一基板層，設置于所述磁性介質層一端，且開設有通孔；線圈，纏繞于所述第一基板層、所述磁性介質層上，并根據外接電壓調節所述磁性介質層的外加磁場。本發明通過外接電壓接入到線圈以調節線圈的導通電流，進而調節磁性介質層的磁場，以實現磁性介質層吸收不同頻段的電磁波，需要更換吸波材料既可實現不同頻段的電磁波吸收，節省成本。
本發明授權吸波結構、器件以及制作方法在權利要求書中公布了：1.吸波結構，其特征在于，包括： 磁性介質層；其中，所述磁性介質層采用釔鐵石榴石，所述磁性介質層的外加磁場為0-6000Oe； 第一基板層，設置于所述磁性介質層一端，且開設有通孔；其中，所述第一基板層為銅板，所述通孔形狀為耶路撒冷十字架形狀； 線圈，纏繞于所述第一基板層、所述磁性介質層上，并根據外接電壓調節所述磁性介質層的外加磁場； 第二基板層，設置于所述磁性介質層遠離所述第一基板層的一端，所述第二基板層為金屬板； 所述第一基板層的厚度為1-2mm，所述磁性介質層的厚度為0.5-2mm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人清華大學深圳國際研究生院，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區西麗大學城清華校區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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