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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利具有減少的電流擁擠效應(yīng)的半導(dǎo)體MPS二極管及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111725329B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010203662.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D8/60；該發(fā)明授權(quán)具有減少的電流擁擠效應(yīng)的半導(dǎo)體MPS二極管及其制造方法是由S·拉斯庫納;M·G·薩吉奧設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有減少的電流擁擠效應(yīng)的半導(dǎo)體MPS二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開的各實(shí)施例涉及具有減少的電流擁擠效應(yīng)的半導(dǎo)體MPS二極管及其制造方法。一種融合PN?肖特基MPS二極管，包括：N襯底、N?漂移層、漂移層中的P摻雜區(qū)域、P摻雜區(qū)域上的歐姆接觸、在P摻雜區(qū)域內(nèi)并且是沒有P摻雜區(qū)域的漂移層的部分的多個(gè)單元、在歐姆接觸上和在所述單元上的陽極金屬化部，以分別形成結(jié)勢壘接觸和肖特基接觸。P摻雜區(qū)域具有網(wǎng)格形狀的布局，該布局將每個(gè)單元彼此分離，并且與單元一起限定MPS二極管的有源區(qū)。每個(gè)單元具有在四邊形、具有圓化拐角的四邊形和圓形之中的同一幾何形狀；并且歐姆接觸在摻雜區(qū)域處沿網(wǎng)格形狀的布局連續(xù)延伸。

本發(fā)明授權(quán)具有減少的電流擁擠效應(yīng)的半導(dǎo)體MPS二極管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種融合PN肖特基MPS二極管，包括： 半導(dǎo)體襯底，具有N型導(dǎo)電性和第一摻雜水平； 所述半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體材料的漂移層，具有面對所述半導(dǎo)體襯底的底表面和與所述底表面相對的頂表面，具有N型導(dǎo)電性，并且具有低于所述第一摻雜水平的第二摻雜水平； P型導(dǎo)電性的摻雜區(qū)域，在所述頂表面處在所述漂移層中延伸； 歐姆接觸，在所述頂表面處與所述摻雜區(qū)域直接電接觸； N型導(dǎo)電性和所述第二摻雜水平的多個(gè)單元，在所述漂移層中在所述摻雜區(qū)域內(nèi)、并且穿過所述摻雜區(qū)域延伸，并且面對所述頂表面，所述摻雜區(qū)域包括連續(xù)的網(wǎng)格，所述網(wǎng)格界定相對于所述漂移層的上部部分的所述多個(gè)單元，所述多個(gè)單元是四邊形的單元的陣列，所述四邊形的單元的陣列具有單元的行和單元的列，并且所述網(wǎng)格將所述單元的所述行彼此分離，并且將所述單元的所述列彼此分離；以及 在所述頂表面上的陽極金屬化部，與所述歐姆接觸接觸、并且與所述單元接觸，以便與所述摻雜區(qū)域形成結(jié)勢壘JB二極管，以及與所述單元形成肖特基二極管，所述JB二極管和所述肖特基二極管限定所述MPS二極管的有源區(qū)，其中： 在俯視圖中，所述摻雜區(qū)域具有界定所述多個(gè)單元的網(wǎng)格形狀的布局； 每個(gè)單元具有在四邊形、具有圓化拐角的四邊形和圓形之中的同一幾何形狀；并且 所述歐姆接觸在所述摻雜區(qū)域處沿所述網(wǎng)格形狀的布局連續(xù)延伸。

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