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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京中創(chuàng)電子科技有限公司申請(qǐng)的專利基于微機(jī)械加工的曲面薄膜壓力傳感器及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120489397B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510990578.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01L1/22；該發(fā)明授權(quán)基于微機(jī)械加工的曲面薄膜壓力傳感器及其制造方法是由褚益鋒;樊君健;施永寧;楊志設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于微機(jī)械加工的曲面薄膜壓力傳感器及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及微機(jī)械加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于微機(jī)械加工的曲面薄膜壓力傳感器及其制造方法，包括硅基座、覆蓋于硅基座上方的敏感薄膜結(jié)構(gòu)，以及鍵合于敏感薄膜結(jié)構(gòu)上方的玻璃蓋板，敏感薄膜結(jié)構(gòu)具有非球面輪廓，厚度沿徑向呈梯度分布，表面集成有壓阻式敏感元件和溫度補(bǔ)償元件；通過(guò)采用拋物面或雙曲面非球面輪廓，引導(dǎo)應(yīng)力徑向梯度分布，減少邊緣集中，提升應(yīng)力均勻性與靈敏度；敏感薄膜中心薄、邊緣厚的梯度厚度結(jié)合復(fù)合層，增強(qiáng)抗過(guò)載能力；雙層犧牲層階梯式刻蝕工藝精確控制曲面精度，提升成型質(zhì)量；集成壓阻橋路、熱敏電阻及鉑屏蔽層，結(jié)合真空封裝，抵消熱漂移、抑制電磁干擾，穩(wěn)定真空度，全面提升環(huán)境適應(yīng)性與穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)基于微機(jī)械加工的曲面薄膜壓力傳感器及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.基于微機(jī)械加工的曲面薄膜壓力傳感器，其特征在于，包括：硅基座（2）、覆蓋于硅基座（2）上方的敏感薄膜結(jié)構(gòu)（3），以及鍵合于敏感薄膜結(jié)構(gòu)（3）上方的玻璃蓋板（1）； 敏感薄膜結(jié)構(gòu)（3）具有非球面輪廓，厚度沿徑向呈梯度分布，表面集成有壓阻式敏感元件和溫度補(bǔ)償元件； 其中敏感薄膜結(jié)構(gòu)（3）包括有設(shè)置于玻璃蓋板（1）下方覆蓋的抗干擾屏蔽層（304），以及硅基座（2）上方覆蓋的埋氧層（303）； 敏感薄膜結(jié)構(gòu)（3）為氮化硅層（301）和多晶硅層（302）復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中氮化硅層（301）位于多晶硅層（302）上方，厚度占比60%-75%，多晶硅層（302）厚度占比25%-40%； 非球面輪廓為拋物面或雙曲面，曲率半徑為1-5mm； 多晶硅層（302）內(nèi)集成P型壓阻橋路（3021），壓阻條沿曲面主應(yīng)力方向布置，主應(yīng)力方向與薄膜徑向夾角≤10°； 多晶硅層（302）邊緣區(qū)域集成N型熱敏電阻（3022），與P型壓阻橋路（3021）串聯(lián)形成溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。

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