長鑫存儲技術有限公司占夢丹獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115643746B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110811874.5，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體結構及其制備方法是由占夢丹設計研發完成，并于2021-07-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體結構及其制備方法，涉及半導體技術領域，該半導體結構制備方法包括提供基底，在基底上形成依次層疊設置的第一初始導電層、犧牲層以及具有圖案的第一掩膜層，犧牲層的厚度為10nm～20nm；以第一掩膜層作為掩膜版，刻蝕第一初始導電層和基底，以形成位線接觸區。本申請通過降低犧牲層的厚度，在后續刻蝕犧牲層和第一初始導電層時，在將全部的犧牲層刻蝕的同時，也能夠去除原本被犧牲層遮擋住部分厚度的第一初始導電層，使得被保留下來的第一初始導電層的厚度降低，進而降低位線接觸區的深度，當向位線接觸區沉積第二導電層時，可以避免第二導電層內形成空隙，降低位線接觸的電阻，提高半導體結構的傳輸性能。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供基底； 在所述基底上形成依次層疊設置的第一初始導電層和犧牲層，所述犧牲層的厚度為10nm～20nm； 在所述犧牲層上形成具有圖案的第一掩膜層； 以所述第一掩膜層作為掩膜版，去除所述犧牲層以及部分所述第一初始導電層和部分所述基底，以在所述第一初始導電層和所述基底內形成位線接觸區，被保留下來的第一初始導電層構成第一導電層，所述第一導電層的厚度占所述第一初始導電層厚度的25～35； 在所述位線接觸區內形成第二導電層，所述第二導電層填充滿所述位線接觸區。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230011 安徽省合肥市經濟開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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