東京毅力科創(chuàng)株式會社杉本貴史獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉東京毅力科創(chuàng)株式會社申請的專利加熱裝置、基片處理系統(tǒng)和加熱方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113903681B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202110648411.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/67;該發(fā)明授權(quán)加熱裝置、基片處理系統(tǒng)和加熱方法是由杉本貴史;高橋裕之;岡野真也設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-06-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本加熱裝置、基片處理系統(tǒng)和加熱方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種加熱裝置、基片處理系統(tǒng)和加熱方法,在處理裝置的外部預(yù)先對基片進(jìn)行加熱并將加熱后的基片用輸送機(jī)構(gòu)保持并輸送到處理裝置情況下,能夠使到達(dá)處理裝置的時刻的基片的溫度在基片面內(nèi)均勻。一種在向處理裝置輸送基片之前對該基片進(jìn)行加熱的加熱裝置,在外部設(shè)置有在該加熱裝置與所述處理裝置之間保持并輸送基片的輸送機(jī)構(gòu),所述加熱裝置包括支承基片的支承部和具有出射光的發(fā)光元件的加熱部,所述加熱部能夠利用所述光來將支承于所述支承部的基片按俯視時劃分的每個區(qū)域相互獨立地進(jìn)行加熱,與所述輸送機(jī)構(gòu)的基片保持部接觸的基片內(nèi)的區(qū)域所對應(yīng)的所述發(fā)光元件的光輸出,比基片內(nèi)的其他區(qū)域所對應(yīng)的所述發(fā)光元件的光輸出高。
本發(fā)明授權(quán)加熱裝置、基片處理系統(tǒng)和加熱方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種加熱裝置,其在向處理裝置輸送基片之前對該基片進(jìn)行加熱,其特征在于: 在所述加熱裝置的外部設(shè)置有在該加熱裝置與所述處理裝置之間保持并輸送基片的輸送機(jī)構(gòu), 所述加熱裝置包括: 支承基片的支承部;和 加熱部, 所述加熱部具有: 基座; 發(fā)光元件,其設(shè)置在所述基座的下表面,出射光來將支承于所述支承部的基片按俯視時劃分的每個區(qū)域相互獨立地進(jìn)行加熱;和 控制電路板,其搭載于所述基座的與所述下表面相反的上表面,且具有存儲器,所述存儲器存儲有:與所述輸送機(jī)構(gòu)的基片保持部接觸的所述基片內(nèi)的第一區(qū)域所對應(yīng)的所述發(fā)光元件的第一光輸出值;和不與所述輸送機(jī)構(gòu)接觸的所述基片內(nèi)的第二區(qū)域所對應(yīng)的所述發(fā)光元件的第二光輸出值,所述控制電路板基于所述存儲器中存儲的所述第一光輸出值和所述第二光輸出值來控制所述發(fā)光元件的光輸出, 所述控制電路板基于所述存儲器中存儲的所述第一光輸出值和所述第二光輸出值,將與所述輸送機(jī)構(gòu)的基片保持部接觸的基片內(nèi)的所述第一區(qū)域所對應(yīng)的所述發(fā)光元件的光輸出,設(shè)置為比不與所述輸送機(jī)構(gòu)接觸的基片內(nèi)的所述第二區(qū)域所對應(yīng)的所述發(fā)光元件的光輸出高,以使得與所述輸送機(jī)構(gòu)的基片保持部接觸的基片內(nèi)的所述第一區(qū)域的溫度比不與所述輸送機(jī)構(gòu)接觸的所述基片內(nèi)的所述第二區(qū)域的溫度提高了預(yù)測向所述處理裝置的輸送中由于所述輸送機(jī)構(gòu)的基片保持部的熱吸收而降低的量。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人東京毅力科創(chuàng)株式會社,其通訊地址為:日本東京都;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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