愛思開海力士有限公司李南宰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉愛思開海力士有限公司申請的專利半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121966B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110398957.6，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的制造方法是由李南宰設計研發完成，并于2021-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的制造方法在說明書摘要公布了：公開了一種半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的制造方法，該半導體存儲器裝置包括：位線，其與外圍電路層交疊；層間絕緣層和導電圖案，其在位線上沿第一方向交替地層疊；垂直溝道，其連接至位線，該垂直溝道貫穿層間絕緣層和導電圖案，該垂直溝道在第一方向上比層疊的層間絕緣層和導電圖案突出更遠；連接圖案，其與每個垂直溝道的在第一方向上比層疊的層間絕緣層和導電圖案突出更遠的部分接觸，該連接圖案連接垂直溝道；源極溝道，其與連接圖案接觸，該源極溝道在第一方向上延伸；以及源極選擇線，其圍繞源極溝道。
本發明授權半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括： 位線，該位線與外圍電路層交疊； 源極層，所述源極層位于所述位線上方； 層間絕緣層和導電圖案，所述層間絕緣層和所述導電圖案在所述位線與所述源極層之間沿第一方向交替地層疊； 垂直溝道，所述垂直溝道連接至所述位線，所述垂直溝道貫穿所述層間絕緣層和所述導電圖案，所述垂直溝道在所述第一方向上比層疊的層間絕緣層和導電圖案突出更遠； 連接圖案，該連接圖案與每個所述垂直溝道的在所述第一方向上比層疊的層間絕緣層和導電圖案突出更遠的部分接觸，該連接圖案將所述垂直溝道連接； 源極溝道，該源極溝道與所述連接圖案接觸，該源極溝道在所述第一方向上延伸以接觸所述源極層；以及 源極選擇線，該源極選擇線圍繞所述源極溝道并且與所述連接圖案和所述源極層間隔開，使得所述源極層取決于施加到所述源極選擇線的信號而經由所述源極溝道電連接到所述連接圖案。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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