買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113130394B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011015999.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法是由柯忠廷;黃泰鈞;李志鴻;李資良;徐志安設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。一種方法包括形成突出高于隔離區(qū)域的頂表面的半導(dǎo)體鰭。隔離區(qū)域延伸到半導(dǎo)體襯底中。蝕刻半導(dǎo)體鰭的一部分以形成溝槽，該溝槽延伸得低于隔離區(qū)域的底表面并且延伸到半導(dǎo)體襯底中。該方法還包括：用第一電介質(zhì)材料填充溝槽以形成第一鰭隔離區(qū)域；使第一鰭隔離區(qū)域凹陷以形成第一凹槽；并且用第二電介質(zhì)材料填充第一凹槽。第一電介質(zhì)材料和第二電介質(zhì)材料組合形成第二鰭隔離區(qū)域。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括： 形成突出高于隔離區(qū)域的頂表面的半導(dǎo)體鰭，其中所述隔離區(qū)域延伸到半導(dǎo)體襯底中； 蝕刻所述半導(dǎo)體鰭的一部分以形成溝槽，其中所述溝槽延伸得低于所述隔離區(qū)域的底表面，并延伸到所述半導(dǎo)體襯底中； 用第一電介質(zhì)材料填充所述溝槽以形成第一鰭隔離區(qū)域，所述第一鰭隔離區(qū)域延伸得低于所述隔離區(qū)域的底表面； 使所述第一鰭隔離區(qū)域凹陷以形成第一凹槽；以及 用第二電介質(zhì)材料填充所述第一凹槽，其中，所述第一電介質(zhì)材料和所述第二電介質(zhì)材料組合形成第二鰭隔離區(qū)域。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。