山東華光光電子股份有限公司孫春明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東華光光電子股份有限公司申請的專利一種大功率低發散角半導體激光器芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115912055B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211574392.3，技術領域涉及：H01S5/22；該發明授權一種大功率低發散角半導體激光器芯片是由孫春明;吳凱;蘇建;劉琦設計研發完成，并于2022-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種大功率低發散角半導體激光器芯片在說明書摘要公布了：本發明涉及一種大功率低發散角半導體激光器芯片，屬于半導體激光器領域，層疊結構包括自下到上依次設置的N面金屬、襯底、N型限制層、N型波導層、量子阱層、P型波導層、P型限制層、絕緣層以及P面金屬；脊波導沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波導兩頭寬中間窄；電流注入區形成于脊波導上，隔離槽區形成于靠近腔面的脊波導以及兩側區域，深溝槽區形成于脊波導兩側，其在出光方向為三角形，靠近腔面處寬度大。本發明可以有效消除了熱透鏡效應，大大降低慢軸發散角，同時，脊波導采用兩頭寬的形勢，降低了載流子在脊波導邊緣的堆積效應，消除近場光斑中邊緣區域功率較強的尖峰，避免局部光場過強導致腔面損傷，大大提高了器件的長時間可靠性。
本發明授權一種大功率低發散角半導體激光器芯片在權利要求書中公布了：1.一種大功率低發散角半導體激光器芯片，其特征在于，包括層疊結構、脊波導、電流注入區、隔離槽區和深溝槽區； 所述層疊結構包括自下到上依次設置的N面金屬、襯底、N型限制層、N型波導層、量子阱層、P型波導層、P型限制層、絕緣層以及P面金屬； 脊波導沿半導體激光器芯片的出光方向延伸，出光方向為半導體激光器芯片腔長的延伸方向，脊波導兩頭寬中間窄； 電流注入區形成于脊波導上，隔離槽區形成于靠近腔面處的脊波導以及其兩側區域，深溝槽區形成于脊波導兩側，其在出光方向為三角形，靠近腔面處寬度大。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東華光光電子股份有限公司，其通訊地址為：250101 山東省濟南市歷下區高新區天辰大街1835號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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