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龍圖騰網(wǎng)獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利臺階結(jié)構(gòu)的制備方法、NAND存儲器的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115148741B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210793011.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/35；該發(fā)明授權(quán)臺階結(jié)構(gòu)的制備方法、NAND存儲器的制備方法是由孔果果;莊夢琦;童宇誠;周運(yùn)帆設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本臺階結(jié)構(gòu)的制備方法、NAND存儲器的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種臺階結(jié)構(gòu)的制備方法、NAND存儲器的制備方法。在臺階結(jié)構(gòu)的制備方法中，通過修整工藝逐次擴(kuò)大第一開口的開口尺寸，并在每一次擴(kuò)大第一開口后執(zhí)行刻蝕工藝，以逐級界定出臺階結(jié)構(gòu)的各級臺階，從而在N?1次修整工藝和刻蝕工藝后，即可在第一開口內(nèi)同時形成兩組臺階結(jié)構(gòu)，簡化了臺階結(jié)構(gòu)的制備工藝。并且，對第一開口的每次擴(kuò)展均是從相對兩側(cè)進(jìn)行雙向擴(kuò)展，使得每一次開口的擴(kuò)展量雙倍增大，有利于增大后續(xù)所執(zhí)行的刻蝕工藝的工藝窗口，降低刻蝕難度。

本發(fā)明授權(quán)臺階結(jié)構(gòu)的制備方法、NAND存儲器的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種臺階結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 形成由下至上堆疊設(shè)置的至少一個堆疊結(jié)構(gòu)在一襯底上，每一所述堆疊結(jié)構(gòu)具有由下至上交替設(shè)置的N個第一材料層和N個第二材料層，多個兩兩相鄰的第一材料層和第二材料層組合構(gòu)成了N個層級； 形成刻蝕阻擋層在所述堆疊結(jié)構(gòu)上，所述刻蝕阻擋層中形成有第一開口，所述第一開口暴露出待刻蝕的堆疊結(jié)構(gòu)中排布在最頂層的第一個層級的表面； 執(zhí)行刻蝕工藝，以通過所述第一開口刻蝕所述第一個層級，并刻蝕停止在第二個層級的表面上；以及， 執(zhí)行N-1次修整工藝，以使所述第一開口的開口尺寸往相對的兩側(cè)逐次擴(kuò)大，并在每一次擴(kuò)大第一開口之后執(zhí)行刻蝕工藝，以通過擴(kuò)大的第一開口刻蝕當(dāng)前暴露出的層級至下一個層級的表面上； 其中，所述襯底上形成有位于下方的第一堆疊結(jié)構(gòu)和位于上方的第二堆疊結(jié)構(gòu)；對所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕以在同一臺階區(qū)內(nèi)形成臺階結(jié)構(gòu)的方法還包括：在形成所述刻蝕阻擋層之前，刻蝕所述第二堆疊結(jié)構(gòu)以形成第二開口，所述第二開口位于所述臺階區(qū)的中心線的一側(cè)，并暴露出所述第一堆疊結(jié)構(gòu)；以及，所述刻蝕阻擋層中的第一開口形成在臺階區(qū)的中心線位置，以同時暴露出第一堆疊結(jié)構(gòu)中位于第二開口的部分和第二堆疊結(jié)構(gòu)中靠近第二開口的端部。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人福建省晉華集成電路有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。