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龍圖騰網(wǎng)獲悉東南大學(xué)申請的專利一種厚膠光刻工藝的光強(qiáng)分布模擬方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114839841B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202210524551.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F7/20；該發(fā)明授權(quán)一種厚膠光刻工藝的光強(qiáng)分布模擬方法是由周再發(fā);過凱麒;黃慶安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-13向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種厚膠光刻工藝的光強(qiáng)分布模擬方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種厚膠光刻工藝的光強(qiáng)分布模擬方法，包括如下步驟：根據(jù)接觸式接近式實(shí)際光刻情況在FDTD中構(gòu)建相應(yīng)的模型，施加可控制入射角度、偏振方向、波長的平面波；采用遞歸卷積法處理色散介質(zhì)；對模擬區(qū)域增加卷積完美匹配層CPML邊界；循環(huán)計(jì)算，在每個(gè)時(shí)間步長內(nèi)更新每個(gè)Yee氏格點(diǎn)的電場和磁場，直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)；根據(jù)網(wǎng)格中電磁場的分布，采用峰值檢測法得到光刻膠內(nèi)部的光強(qiáng)分布。本發(fā)明解決了目前缺乏高精度厚膠光刻工藝仿真模型的問題，具有高度靈活性，適合模擬復(fù)雜情況的光刻。

本發(fā)明授權(quán)一種厚膠光刻工藝的光強(qiáng)分布模擬方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種厚膠紫外光刻工藝的光強(qiáng)分布仿真方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、根據(jù)實(shí)際光刻情況構(gòu)建相應(yīng)的光刻仿真模型，采用Yee氏網(wǎng)格將電場和磁場的空間域離散化，施加可控制入射角度、偏振方向和波長的平面波； 步驟2、根據(jù)光刻仿真模型得到每個(gè)Yee氏格點(diǎn)的材料參數(shù)，采用遞歸卷積法處理不同類型的色散材料，計(jì)算得到相應(yīng)的計(jì)算系數(shù)； 步驟3、對模擬區(qū)域增加卷積完美匹配層CPML邊界，計(jì)算得到CPML邊界區(qū)域的計(jì)算系數(shù)； 步驟4、根據(jù)步驟2和步驟3，得到一組修正的時(shí)域有限差分FDTD電磁場更新方程組，通過循環(huán)計(jì)算，在每個(gè)時(shí)間步長內(nèi)更新每個(gè)Yee氏格點(diǎn)的電場和磁場，直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)； 步驟5、根據(jù)網(wǎng)格中電磁場的分布，采用峰值檢測法得到光刻膠內(nèi)部的光強(qiáng)分布。

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