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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社申請的專利磁頭及其制造方法、磁記錄再現(xiàn)裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115938400B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202210104853.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11B5/31；該發(fā)明授權(quán)磁頭及其制造方法、磁記錄再現(xiàn)裝置及其制造方法是由高橋干設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本磁頭及其制造方法、磁記錄再現(xiàn)裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供減少由與磁記錄介質(zhì)的接觸引起的損傷的磁頭及其制造方法、磁記錄再現(xiàn)裝置及其制造方法。實(shí)施方式的磁頭具有保護(hù)層，保護(hù)層在元件部是磁記錄元件部時(shí)，包括磁記錄元件突出部上的第1區(qū)域及磁記錄元件屏蔽部上的第2區(qū)域，第1區(qū)域和第2區(qū)域是同一平面，或者第1區(qū)域比第2區(qū)域凹陷，在元件部是磁再現(xiàn)元件部時(shí)，包括磁再現(xiàn)元件突出部上的第3區(qū)域及磁再現(xiàn)元件屏蔽部上的第4區(qū)域，第3區(qū)域和第4區(qū)域是同一平面，或者第3區(qū)域比第4區(qū)域凹陷。

本發(fā)明授權(quán)磁頭及其制造方法、磁記錄再現(xiàn)裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種磁頭，在磁記錄介質(zhì)上浮起而記錄或再現(xiàn)磁信息，其特征在于， 在浮起時(shí)與所述磁記錄介質(zhì)相對的浮起面?zhèn)劝ù庞涗浽炕虼旁佻F(xiàn)元件部中的至少一方的元件部和保護(hù)所述元件部的保護(hù)層， 所述磁記錄元件部包括磁記錄元件、從所述磁記錄元件突出的磁記錄元件突出部及包圍所述磁記錄元件突出部的磁記錄元件屏蔽部， 所述磁再現(xiàn)元件部包括磁再現(xiàn)元件、從所述磁再現(xiàn)元件突出的磁再現(xiàn)元件突出部及包圍所述磁再現(xiàn)元件突出部的磁再現(xiàn)元件屏蔽部， 所述保護(hù)層在所述元件部是所述磁記錄元件部時(shí)，包括所述磁記錄元件突出部上的第1區(qū)域及所述磁記錄元件屏蔽部上的第2區(qū)域，在所述元件部是所述磁再現(xiàn)元件部時(shí)，包括所述磁再現(xiàn)元件突出部上的第3區(qū)域及所述磁再現(xiàn)元件屏蔽部上的第4區(qū)域， 所述第1區(qū)域和所述第2區(qū)域是同一平面，或者所述第1區(qū)域比所述第2區(qū)域凹陷， 所述第3區(qū)域和所述第4區(qū)域是同一平面，或者所述第3區(qū)域比所述第4區(qū)域凹陷。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。