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龍圖騰網獲悉蘇州聚謙半導體有限公司申請的專利存儲電容器的制造方法及其存儲電容器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496773B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210103062.X，技術領域涉及：H01L21/308；該發明授權存儲電容器的制造方法及其存儲電容器是由黃子倫設計研發完成，并于2022-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本存儲電容器的制造方法及其存儲電容器在說明書摘要公布了：本發明提供了一種存儲電容器的制造方法及其存儲電容器，包括：提供半導體襯底；形成第一掩膜層；刻蝕第一掩膜層，形成第一溝槽；形成第二掩膜層，使得形成第二溝槽，去除第一掩膜層上方的第二掩膜層、第一掩膜層、以及位于第二溝槽的底部的第二掩膜層；依次形成第三掩膜層、第四掩膜層和第五掩膜層；對第四掩膜層和第五掩膜層研磨減薄至暴露出第二掩膜層；形成第三溝槽和位于邊界處的U形開口；刻蝕半導體襯底，于半導體襯底內形成第四溝槽；去除第三掩膜層、第四掩膜層、第五掩膜層；形成絕緣層；形成位于絕緣層上的第一介質層；形成第一導電層、第二介質層和第二導電層，該方法能夠節省光刻次數、降低生產成本。

本發明授權存儲電容器的制造方法及其存儲電容器在權利要求書中公布了：1.一種存儲電容器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底； 形成位于所述半導體襯底上的第一掩膜層； 刻蝕所述第一掩膜層，形成第一溝槽； 形成位于所述第一溝槽的底部和側壁，以及所述第一掩膜層上方的第二掩膜層，使得形成第二溝槽，所述第二溝槽的槽寬和槽深均小于所述第一溝槽的槽寬和槽深； 去除所述第一掩膜層上方的第二掩膜層、所述第一掩膜層、以及位于所述第二溝槽的底部的第二掩膜層； 依次形成位于剩余的第二掩膜層上的第三掩膜層、所述第三掩膜層上的第四掩膜層和所述第四掩膜層上的第五掩膜層； 對所述第四掩膜層和第五掩膜層研磨減薄至暴露出所述第二掩膜層； 去除所述第二掩膜層和部分第四掩膜層，形成第三溝槽和位于邊界處的U形開口； 以所述第三溝槽周圍的第三掩膜層、所述部分第四掩膜層、所述第五掩膜層作為阻擋層，刻蝕所述半導體襯底，于所述半導體襯底內形成第四溝槽； 去除所述第四溝槽上方的作為阻擋層的第三掩膜層、所述第四掩膜層、所述第五掩膜層； 形成位于所述第四溝槽的側壁、所述第四溝槽的底部，以及所述U形開口和所述半導體襯底上的絕緣層； 形成位于所述絕緣層上的第一介質層； 形成位于所述第一介質層上的第一導電層； 形成位于所述第一導電層上的第二介質層； 形成位于所述第二介質層上的第二導電層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州聚謙半導體有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業園區星湖路328號創意產業園21-A401-001單元；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。