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龍圖騰網獲悉山東華光光電子股份有限公司申請的專利一種帶有應變超晶格結構的AlGaInP紅光半導體激光器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115528542B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110710538.1，技術領域涉及：H01S5/34；該發明授權一種帶有應變超晶格結構的AlGaInP紅光半導體激光器件及其制備方法是由劉飛;張新;張東東設計研發完成，并于2021-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種帶有應變超晶格結構的AlGaInP紅光半導體激光器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種帶有應變超晶格結構的AlGaInP紅光半導體激光器件及其制備方法，由下至上依次包括襯底、緩沖層、下過渡層、下限制層、下波導層、Ala1Ga1?a1b1In1?b1PAla1Ga1?a1b2In1?b2P應變超晶格、第一量子阱、壘層、第二量子阱、上波導層、第一上限制層、腐蝕終止層、第二上限制層、上過渡層和GaAs帽層；本發明AlGaInP漸變波導層生長后，插入應變超晶格結構，提升材料生長質量，抑制界面非輻射復合，從而降低閾值電流，提高老化特性。

本發明授權一種帶有應變超晶格結構的AlGaInP紅光半導體激光器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種帶有應變超晶格結構的AlGaInP紅光半導體激光器件，其特征在于，由下至上依次包括GaAs襯底、GaAs緩沖層、Ga0.5In0.5P下過渡層、Al0.5In0.5P下限制層、Al1-x1Gax1y1In1-y1P下波導層、Ala1Ga1-a1b1In1-b1PAla1Ga1-a1b2In1-b2P應變超晶格、Ga1-x2Inx2P第一量子阱、Al1-x3Gax3y2In1-y2P壘層、Ga1-x4Inx4P第二量子阱、Al1-x5Gax5y3In1-y3P上波導層、Al0.5In0.5P第一上限制層、Ga1-x6Inx6P腐蝕終止層、Al0.5In0.5P第二上限制層、Ga0.5In0.5P上過渡層和GaAs帽層； 其中，0.05≤x1≤0.6，0.4≤y1≤0.6；0.5≤x2≤0.7；0.3≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6；0.5≤x4≤0.7；0.05≤x5≤0.6，0.4≤y3≤0.6；0.4≤x6≤0.5；0.25≤a1≤0.4，0.4≤b1≤0.45；0.55≤b2≤0.6；a1小于0.4，b1大于0.5，b2小于0.5。

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