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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115440817B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110619144.5，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體結構及其形成方法是由羅浩設計研發完成，并于2021-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供基底，包括依次堆疊的承載基底、絕緣埋層和器件基底；絕緣埋層包括底部絕緣層、凸出于器件區的底部絕緣層的支撐部以及位于底部絕緣層上且覆蓋支撐部側壁的犧牲層，犧牲層位于隔離區且還延伸位于部分的器件區；去除位于隔離區的至少器件基底，形成溝槽，暴露出犧牲層；去除犧牲層，形成由底部絕緣層與支撐部以及器件基底圍成的空腔；在空腔露出的器件基底底面以及溝槽側壁的器件基底上形成襯墊氧化層?？涨粸橐r墊氧化層在器件基底下方提供形成空間和膨脹空間，有利于防止由于襯墊氧化層在器件基底底面的形成和膨脹而對器件基底產生應力，降低器件基底在靠近器件區邊緣位置處發生翹曲的風險。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，包括多個分立的器件區以及位于所述器件區之間的隔離區；所述基底包括：承載基底；底部絕緣層，位于所述承載基底上；支撐部，凸出于所述器件區的底部絕緣層，所述支撐部暴露出的所述底部絕緣層位于所述隔離區和部分的所述器件區的頂面；器件基底，位于所述器件區的底部絕緣層上方且與所述支撐部相接觸，所述器件基底與所述底部絕緣層以及所述支撐部圍成空腔； 襯墊氧化層，位于所述空腔露出的所述器件基底的底面、以及所述器件基底的側壁； 隔離層，填充于所述空腔內以及相鄰的所述器件基底之間，且所述隔離層覆蓋所述襯墊氧化層； 柵極結構，位于所述器件區的器件基底上； 源漏摻雜區，位于所述柵極結構兩側的所述器件基底內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。