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龍圖騰網(wǎng)獲悉無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司申請(qǐng)的專利P型GaN基高電子遷移率晶體管及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115483106B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110601948.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)P型GaN基高電子遷移率晶體管及其制造方法是由張曉榮;孫國(guó)臻;楊凱;林曉霞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-05-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本P型GaN基高電子遷移率晶體管及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種P型GaN基高電子遷移率晶體管及其制造方法，所述方法包括：獲取基底；基底包括溝道層、溝道層上的一次外延勢(shì)壘層及所述一次外延勢(shì)壘層上的柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)的材料為P型摻雜的GaN；在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成源極凹槽和漏極凹槽，源極凹槽和漏極凹槽從一次外延勢(shì)壘層的上表面向下延伸至溝道層；在基底上二次外延形成二次外延勢(shì)壘層，二次外延勢(shì)壘層的材料與一次外延勢(shì)壘層的材料相同；形成源電極、漏電極及柵電極；源電極在源極凹槽與外延層形成歐姆接觸，漏電極在漏極凹槽與外延層形成歐姆接觸。本發(fā)明可以同時(shí)滿足器件的高閾值電壓與有源區(qū)的低方塊電阻要求。

本發(fā)明授權(quán)P型GaN基高電子遷移率晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種P型GaN基高電子遷移率晶體管的制造方法，包括： 獲取基底；所述基底包括溝道層、所述溝道層上的一次外延勢(shì)壘層及所述一次外延勢(shì)壘層上的柵極結(jié)構(gòu)，所述溝道層的材料為GaN，所述一次外延勢(shì)壘層的材料為AlGaN，所述柵極結(jié)構(gòu)的材料為P型摻雜的GaN； 在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成源極凹槽和漏極凹槽，所述源極凹槽和漏極凹槽從所述一次外延勢(shì)壘層的上表面向下延伸至所述溝道層； 在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成源極凹槽和漏極凹槽之后，在所述基底上二次外延形成二次外延勢(shì)壘層，所述二次外延勢(shì)壘層的材料與所述一次外延勢(shì)壘層的材料相同； 形成源電極、漏電極及柵電極；所述源電極在所述源極凹槽與所述二次外延勢(shì)壘層形成歐姆接觸，所述漏電極在所述漏極凹槽與所述二次外延勢(shì)壘層形成歐姆接觸； 其中，所述柵極結(jié)構(gòu)下方的勢(shì)壘層厚度為所述柵極結(jié)構(gòu)下方的一次外延勢(shì)壘層厚度，所述源電極下方的勢(shì)壘層厚度為所述源電極下方的二次外延勢(shì)壘層厚度，所述漏電極下方的勢(shì)壘層厚度為所述漏電極下方的二次外延勢(shì)壘層厚度。

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