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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東浪潮華光光電子股份有限公司申請的專利一種砷化鎵LED晶片電壓與TCL膜層關系的驗證方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114649229B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011501424.8，技術領域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權一種砷化鎵LED晶片電壓與TCL膜層關系的驗證方法是由徐曉強;程昌輝;吳向龍;閆寶華;王成新設計研發(fā)完成，并于2020-12-18向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種砷化鎵LED晶片電壓與TCL膜層關系的驗證方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種砷化鎵LED晶片電壓與TCL膜層關系的驗證方法，屬于半導體加工技術領域，包括步驟如下：1晶片準備：將在砷化鎵襯底上依次生長有外延層、TCL膜層、電極的LED晶片備好待用；2測試點制作：使用光刻膠或電極的光刻板制作掩膜圖形，該掩膜圖形位于整個晶片表面，使用腐蝕液將其它區(qū)域的TCL膜層腐蝕掉，并進行去膠，制作出測試點；3歐姆接觸測試：使用測試機臺扎測相鄰兩個測試點間的I?V曲線，由曲線是否為直線判斷該ITO與外延層間是否接觸完好，驗證后即可獲得相應的關系信息，以得到與該驗證管芯同時或者同批次制作的管芯的質(zhì)量好壞，方便做出工藝或者方法的調(diào)整，以避免較大的損失，提高產(chǎn)品良率。

本發(fā)明授權一種砷化鎵LED晶片電壓與TCL膜層關系的驗證方法在權利要求書中公布了：1.一種砷化鎵LED晶片電壓與TCL膜層關系的驗證方法，其特征在于，包括步驟如下： （1）晶片準備：將在砷化鎵襯底上依次生長有外延層、TCL膜層、電極的LED晶片備好待用； 所述的TCL膜層，為ITO膜層，電極為Cr、Ti、Al、Pt、Au、Ni、Ge、Ag其中的一種金屬制作而成； （2）測試點制作：使用光刻膠或電極的光刻板制作掩膜圖形，該掩膜圖形位于整個晶片表面，使用腐蝕液將其它區(qū)域的TCL膜層腐蝕掉，并進行去膠，制作出測試點；掩模圖形與電極錯位分布；測試點線徑的大小為50-100μm之間； （3）歐姆接觸測試：使用測試機臺扎測相鄰兩個測試點間的I-V曲線； 測試后根據(jù)I-V曲線斜率判斷歐姆接觸的好壞，若是直線則判定該ITO與外延層間接觸完好。

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