瑞薩電子株式會(huì)社下山浩哉獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉瑞薩電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN109524390B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201811090561.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L25/07;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由下山浩哉;中村弘幸設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2018-09-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本半導(dǎo)體裝置在說(shuō)明書摘要公布了:本公開涉及半導(dǎo)體裝置。增強(qiáng)了半導(dǎo)體裝置的性能。半導(dǎo)體裝置是通過(guò)在密封部分中密封各自包括用于高側(cè)開關(guān)的功率晶體管的第一、第二和第三半導(dǎo)體芯片,各自包括用于低側(cè)開關(guān)的功率晶體管的第四、第五和第六半導(dǎo)體芯片,以及包括控制這些芯片的控制電路的半導(dǎo)體芯片而獲得的半導(dǎo)體裝置。第四、第五和第六半導(dǎo)體芯片的源極焊盤經(jīng)由金屬板電耦合到多個(gè)引線LD9和多個(gè)引線LD10。在平面中看時(shí),引線LD9與密封部分的邊MRd4相交,并且引線LD10與密封部分的邊MRd2相交。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一半導(dǎo)體芯片,包括用于高側(cè)開關(guān)的第一功率晶體管并具有第一主表面和位于所述第一主表面的相對(duì)側(cè)的第一背面, 其中所述第一半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第一背面中并耦合到所述第一功率晶體管的第一背電極、形成在所述第一主表面中并耦合到所述第一功率晶體管的第一電極、以及形成在所述第一主表面中并控制所述第一電極與所述第一背電極之間的連續(xù)性的第一柵電極; 第二半導(dǎo)體芯片,包括用于高側(cè)開關(guān)的第二功率晶體管并具有第二主表面和位于所述第二主表面的相對(duì)側(cè)的第二背面, 其中所述第二半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第二背面中并耦合到所述第二功率晶體管的第二背電極、形成在所述第二主表面中并耦合到所述第二功率晶體管的第二電極、以及形成在所述第二主表面中并控制所述第二電極與所述第二背電極之間的連續(xù)性的第二柵電極; 第三半導(dǎo)體芯片,包括用于高側(cè)開關(guān)的第三功率晶體管并具有第三主表面和位于所述第三主表面的相對(duì)側(cè)的第三背面, 其中所述第三半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第三背面中并耦合到所述第三功率晶體管的第三背電極、形成在所述第三主表面中并耦合到所述第三功率晶體管的第三電極、以及形成在所述第三主表面中并控制所述第三電極與所述第三背電極之間的連續(xù)性的第三柵電極; 第四半導(dǎo)體芯片,包括用于低側(cè)開關(guān)的第四功率晶體管并具有第四主表面和位于所述第四主表面的相對(duì)側(cè)的第四背面, 其中所述第四半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第四背面中并耦合到所述第四功率晶體管的第四背電極、形成在所述第四主表面中并耦合到所述第四功率晶體管的第四電極、以及形成在所述第四主表面中并控制所述第四電極與所述第四背電極之間的連續(xù)性的第四柵電極; 第五半導(dǎo)體芯片,包括用于低側(cè)開關(guān)的第五功率晶體管并具有第五主表面和位于所述第五主表面的相對(duì)側(cè)的第五背面, 其中所述第五半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第五背面中并耦合到所述第五功率晶體管的第五背電極、形成在所述第五主表面中并耦合到所述第五功率晶體管的第五電極、以及形成在所述第五主表面中并控制所述第五電極與所述第五背電極之間的連續(xù)性的第五柵電極; 第六半導(dǎo)體芯片,包括用于低側(cè)開關(guān)的第六功率晶體管并具有第六主表面和位于所述第六主表面的相對(duì)側(cè)的第六背面, 其中所述第六半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第六背面中并耦合到所述第六功率晶體管的第六背電極、形成在所述第六主表面中并耦合到所述第六功率晶體管的第六電極、以及形成在所述第六主表面中并控制所述第六電極與所述第六背電極之間的連續(xù)性的第六柵電極; 第七半導(dǎo)體芯片,包括控制所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片、所述第三半導(dǎo)體芯片、所述第四半導(dǎo)體芯片、所述第五半導(dǎo)體芯片和所述第六半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)的電路并具有第七主表面和位于所述第七主表面的相對(duì)側(cè)的第七背面; 其中,所述第七半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第七主表面中的多個(gè)第七電極,和 其中所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一柵電極、所述第二半導(dǎo)體芯片的所述第二柵電極、所述第三半導(dǎo)體芯片的所述第三柵電極、所述第四半導(dǎo)體芯片的所述第四柵電極、所述第五半導(dǎo)體芯片的所述第五柵電極以及所述第六半導(dǎo)體芯片的所述第六柵電極經(jīng)由多個(gè)第一導(dǎo)線分別電耦合到所述第七半導(dǎo)體芯片的所述第七電極; 第一芯片安裝部分,安裝有所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片和所述第三半導(dǎo)體芯片,并與所述第一背電極、所述第二背電極和所述第三背電極電耦合; 第二芯片安裝部分,安裝有所述第四半導(dǎo)體芯片,并與所述第四背電極電耦合; 第三芯片安裝部分,安裝有所述第五半導(dǎo)體芯片,并與所述第五背電極電耦合; 第四芯片安裝部分,安裝有所述第六半導(dǎo)體芯片,并與所述第六背電極電耦合; 第五芯片安裝部分,安裝有所述第七半導(dǎo)體芯片; 多個(gè)第一引線,電耦合到所述第一半導(dǎo)體芯片的所述第一電極; 多個(gè)第二引線,電耦合到所述第二半導(dǎo)體芯片的所述第二電極; 多個(gè)第三引線,電耦合到所述第三半導(dǎo)體芯片的所述第三電極; 多個(gè)第四引線,與所述第二芯片安裝部分整體地形成,并電耦合到所述第四半導(dǎo)體芯片的所述第四背電極; 多個(gè)第五引線,與所述第三芯片安裝部分整體地形成,并電耦合到所述第五半導(dǎo)體芯片的所述第五背電極; 多個(gè)第六引線,與所述第四芯片安裝部分整體地形成,并電耦合到所述第六半導(dǎo)體芯片的所述第六背電極; 多個(gè)第七引線和多個(gè)第八引線,與所述第一芯片安裝部分整體地形成,并電耦合到所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片和所述第三半導(dǎo)體芯片的所述第一背電極、所述第二背電極和所述第三背電極; 多個(gè)第九引線和多個(gè)第十引線,經(jīng)由第一金屬板電耦合到所述第四半導(dǎo)體芯片、所述第五半導(dǎo)體芯片和所述第六半導(dǎo)體芯片的所述第四電極、所述第五電極和所述第六電極;和 密封體,密封所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片、所述第三半導(dǎo)體芯片、所述第四半導(dǎo)體芯片、所述第五半導(dǎo)體芯片、所述第六半導(dǎo)體芯片、所述第七半導(dǎo)體芯片、所述第一芯片安裝部分的至少一部分、所述第二芯片安裝部分的至少一部分、所述第三芯片安裝部分的至少一部分、所述第四芯片安裝部分的至少一部分、所述第五芯片安裝部分的至少一部分、所述第一金屬板、第一引線的部分、第二引線的部分、第三引線的部分、第四引線的部分、第五引線的部分、第六引線的部分、第七引線的部分、第八引線的部分、第九引線的部分以及第十引線的部分, 其中,在平面中看時(shí),所述密封體包括沿著第一方向延伸的第一邊、沿著與所述第一方向相交的第二方向延伸的第二邊、沿著所述第一方向延伸并位于所述第一邊的相對(duì)側(cè)的第三邊、以及沿著所述第二方向延伸并位于所述第二邊的相對(duì)側(cè)的第四邊, 其中,在所述第二方向上,所述第七半導(dǎo)體芯片位于第一芯片組與第二芯片組之間,所述第一芯片組包括所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片和所述第三半導(dǎo)體芯片,所述第二芯片組包括所述第四半導(dǎo)體芯片、所述第五半導(dǎo)體芯片和所述第六半導(dǎo)體芯片,并且所述第一芯片組位于所述第三邊一側(cè),并且所述第二芯片組位于所述第一邊一側(cè), 其中,在所述第一方向上,所述第二半導(dǎo)體芯片位于所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第三半導(dǎo)體芯片之間,并且所述第一半導(dǎo)體芯片位于所述第四邊一側(cè),并且所述第三半導(dǎo)體芯片位于所述第二邊一側(cè), 其中,在所述第一方向上,所述第五半導(dǎo)體芯片位于所述第四半導(dǎo)體芯片與所述第六半導(dǎo)體芯片之間,并且所述第四半導(dǎo)體芯片位于所述第四邊一側(cè),并且所述第六半導(dǎo)體芯片位于所述第二邊一側(cè), 其中,在平面中看時(shí),第一引線、第二引線和第三引線與所述密封體的所述第三邊相交, 其中,在平面中看時(shí),第四引線、第五引線和第六引線與所述密封體的所述第一邊相交, 其中,在平面中看時(shí),第八引線和第十引線與所述密封體的所述第二邊相交,以及 其中,在平面中看時(shí),第七引線和第九引線與所述密封體的所述第四邊相交。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人瑞薩電子株式會(huì)社,其通訊地址為:日本東京;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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